• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권3호
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• pp.208-213
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• 1998

Microwave dielectric properties of $BiNbO_4$ containing CuO and $V_2O_5$(BN ceramics). BN ceramic with 0.07wt% $V_2O_5$ and 0.03wt% CuO (BNC3V7) was sintered at $900^{\circ}C$ where it is possible for these to be co-fired with Ag electrode. The dielectric constant of 44.3, TCF (Temperature Coefficient of resonance Frequency) of 2 ppm/$^{\circ}$ and Q${\times}f_o$ value (product of Quality value and resonance Frequency) of 22,000GHz could be obtained from those ceramics. It is observed that orthorhombic structure was stable $1000^{\circ}C$. As sintering temperature increases, the dielectric properties decreased. The main reasons were abnormal grain growth and the main peak of triclinic moved from the main peak of orthorhombic.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권9호
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• pp.900-905
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• 1996

We have investigated dielectric properties of low fired ceramics BiNbO$_{4}$ containing 0.05[wt%] V$_{2}$O$_{5}$ and x[wt%l Cr$_{2}$O$_{3}$ (x=0, 0.2, 0.4, 0.8, 1.2). By substituting Cr for Bi, dielectric constant .epsilon.$_{r}$ and quality factor Q.f increased and temperature coefficient of resonant frecquency .tau.$_{f}$ changed to positive value. In the composition of BiNbO$_{4}$+0.05 [Wt%] V$_{2}$O$_{5}$+0.8[wt%]Cr$_{2}$O$_{3}$ sintered at 960[.deg. C], we could obtain microwave dielectric properties of .epsilon.$_{r}$=49, Q.f.simeq.3000[GHz](at 4.8[GHz]), .tau.$_{f}$.simeq.0[ppm/.deg. C]. As the above ceramics can be sintered near 960[.deg. C], it is applicable to multilayer microwave device with Ag conductor.tor.tor.tor.

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2003년도 춘계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.42.2-42
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• 2003

• 한국재료학회지
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• 제8권11호
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• pp.1043-1047
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• 1998

CuO 및 C얘의 첨가가 $BiNbO_4$ 세라믹스의 고주파 유전특성에 미치는 영향을 조사하였다. CdO 첨가량이 증가함에 따라 소결밀도 및 품질계수는 감소하였고 소결온도가 증가하면 유전상수 및 품질계수는 증가하였다. $BiNbO_4$에 CuO 및 CdO를 각각 0.03wt% 첨가한 시편을 $960^{\circ}C$에서 소결시 유전율 41.2, 품질계수($Q{\times}f_0$) 6,500(at 5.6GHz), 공진주파수 온도계수 $3ppm^{\circ}C$의 우수한 고주파 유전특성을 얻을 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권4호
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• pp.281-287
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• 1998

$BiNbO_4$ ceramics doped with 0.07wt% $V_2O_5$ and 0.03wt% CuO (BNC3V7) were sucessfully sintered at $900^{\circ}C$ through the firing process with Ag electrode. The BNC3V7 shows typically Dielectric constant of 44.3, Thermal Coefficient of resonance Frequency(TCF) of 2 ppm/$^{\circ} and $Qxf_o$ value of 22,000 GHz. The laminated chip Low Pass Filter (LPF) is very sensitive to chip processing parameters, was confirmed by the computer simulation as a function of Q(Quality factors), filter size, capacitor layer thickness, inductor pattern widths. The multilayer type LPF was fabricated by screen-printing with Ag electrode after tape casting and then compared with the simulated characteristics. The results show that characterization of band pass width was similar to that of designed ones.

• 한국세라믹학회지
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• 제39권12호
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• pp.1190-1196
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• 2002

$(1-x)BiNbO_4-xCaNb_2O_6$ (0${\le}$x${\le}$1.0) 세라믹스의 조성 변화에 따른 마이크로파 유전 특성 및 적층체 특성을 연구하였다.0.25${\le}$x${\le}$0.75의 조성 범위에서 stibotantalate 구조를 갖는 $BiNbO_4$와 columbite 구조를 갖는 $CaNb_2O_6$의 혼합상으로 존재하였으며, 이차상의 형성이나 상전이는 관찰할 수 없었다. $(1-x)BiNbO_4-xCaNb_2O_6$ 세라믹스의 유전상수(K)는 조재상의 유전 특성에 크게 의존하여 Maxwell 관계식으로부터 계산된 유전체 혼합법칙으로 정량화가 가능하였다. $0.5BiNbO_4-0.5CaNb_2O_6$에 $CuV_2O_6$를 0.8 wt% 첨가하여 1000${\circ}C$에서 3시간 소결한 결과, 유전상수 26, 품질계수(Qf) 43000 GHz 및 공진주파수 온도계수(TCF) -18 ppm/${\circ}C$의 마이크로파 유전특성을 얻을 수 있었다. $0.5BiNbO_4-0.5CaNb_2O_6$ 그린쉬트(green sheet)를 850∼900${\circ}C$에서 20분간 소결하여 얻은 적층체의 X-Y 수축율 편차와 캠버 값은 $BiNbO_4$ 적층체 보다 작게 나타났다.

• 한국재료학회지
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• 제6권12호
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• pp.1186-1191
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• 1996

CuO의 첨가가 BiNbO4 세라믹스의 마이크로파 유전특성과 소결거동에 미치는 영향에 대하여 연구하였다. CuO의 첨가량이 증가함에 따라 액상의 생성에 의해 소결성이 증가하여 시편의 밀도는 증가하며 유전상수는 소결온도가 증가함에 따라 증가하는 경향을 보였다. Qxfo값은 CuO 첨가량이 0.065wt%이고 소결온도가 94$0^{\circ}C$일 때 최대값을 나타내며 그 이상 CuO 첨가량을 증가하였다. 소결온도 92$0^{\circ}C$-96$0^{\circ}C$, 소결시간 2시간일 때의 고주파 유전특성으로는 유전상수가 43.6, Qxfo값이 13,200 이상, $\tau$f =-14.36ppm/$^{\circ}C$을 얻었다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1998년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.25-25
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• 1998

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2003년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.204.1-204
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• 2003

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.284-284
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• 2007

In this study, the microwave dielectric property variations of (1-x)$BiNbO_4-(x)ZnNb_2O_6$ composites (x=0.3, 0.5 and 0.7) with 10wt% zinc borosilicate(ZBS) glass was investigated as a function of the substitution of $ZnNb_2O_6$ with a view to applying thes system to LTCC technology. The all composition addition of 10wt% ZBS glass ensured a successful sintering below $900^{\circ}C$. In addition, a small amount of $Bi_2SiO_5$ as the secondary phase was observed in the all composition. The substitution of $ZnNb_2O_6$ on the $BiNbO_4$ composites increased the $Q{\times}f$ values, but it decreased the sinterability and dielectric constant due to the high sintering temperature and low dielectric constant of $ZnNb_2O_6\;than\;BiNbO_4$ ceramics. The increasing of $ZnNb_2O_6$ content from 0.3 to 0.7 in the (1-x)$BiNbO_4-(x)ZnNb_2O_6$ composites with 10wt% ZBS glass sintered at $900^{\circ}C$ demonstrated 28.1~15.6 in the dielectric constant$({\varepsilon}_r)$, 5,500~8,700GHz in the $Q{\times}f$ value.