• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제14권4호
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• pp.45-49
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• 2015

Using a combined CVD and ALD equipment system, multi-layer quantum well structures of $Al_2O_3/a-Si/Al_2O_3$ were fabricated on silicon Schottky junction devices and implemented to quantum well solar cells, in which the 1~1.5 nm thicknesses of the aluminum oxide films and the a-Si thin film layers were deposited at $300^{\circ}C$ and $450^{\circ}C$, respectively. Fabricated solar cell was operated by tunneling phenomena through the inserted quantum well structure being generated electrons on the silicon surface. Efficiency of the fabricated solar cell inserted with multi-quantum well of 41 layers has been increased by about 10 times that of the solar cell of pure Schottky junction solar cell.

• Current Photovoltaic Research
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• 제5권2호
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• pp.63-67
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• 2017

Aluminum oxide ($Al_2O_3$) film deposited by atomic layer deposition (ALD) is known to supply excellent surface passivation properties on crystalline Si surface. The quality of passivation layer is important for high-efficiency silicon solar cell. double-layer structures have many advantages over single-layer materials. $Al_2O_3/SiN_X$ passivation stacks have been widely adopted for high- efficiency silicon solar cells. The first layer, $Al_2O_3$, passivates the surface, while $SiN_X$ acts as a hydrogen source that saturates silicon dangling bonds during annealing treatment. We explored the properties on passivation film of $Al_2O_3/SiN_X$ stack layer with changing the conditions. For the post annealing temperature, it was found that $500^{\circ}C$ is the most suitable temperature to improvement surface passivation.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.364.1-364.1
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• 2014

고효율 태양전지로 가기 위해서는 태양전지의 후면 패시베이션은 중요한 역할을 한다. 후면 패시베이션 막으로 사용되는 $Al_2O_3$ 막은 $Al_2O_3/Si$ 계면에서 높은 화학적 패시베이션과 Negative Fixed Charge를 가지고 있어 적합한 Barrier막으로 여겨진다. 하지만 이후에 전면 Metal paste의 소성 공정에 의해 $800^{\circ}C$이상 온도를 올려주게 됨에 따라 $Al_2O_3$ 막 내부에 결합되어 있던 수소들이 방출되어 blister가 생성되고 막 질은 떨어지게 된다. 우리는 blister가 생성되는 것을 방지하기 위한 방법으로 PECVD 장비로 SiNx를 증착하는 공정 중에 $N_2O$ 가스를 첨가하여 SiON 막을 증착하였다. SiON막은 $N_2O$가스량을 조절하여 막의 특성을 변화시키고 변화에 따라 소성시 막에 미치는 영향에 대하여 조사하였다. 공정을 위해 $156{\times}156mm2$, $200{\mu}m$, $0.5-3.0{\Omega}{\cdot}cm$ and p-type 단결정 실리콘 웨이퍼를 사용하였고, $Al_2O_3$ 막을 올리기 전에 RCA Cleaning 실행하였다. ALD 장비를 통해 $Al_2O_3$ 막을 10nm 증착하였고 RF-PECVD 장비로 SiNx막과 SiON막을 80nm 증착하였다. 소성로에서 $850^{\circ}C$ ($680^{\circ}C$) 5초동안 소성하고 QSSPC를 통해 유효 반송자 수명을 알아보았다.

• Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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• 제2권2호
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• pp.78-84
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• 1998

ZnO:Al films were prepared by an rf magnetron sputtering and targets for the experiments were fabricated by sintering the mixture of ZnO and Al2O3. The most conductive film was obtained from the target with 2.0∼2.2 wt.% of Al2O3. Optical properties studied with spectroscopic ellipsometry showed band gap widening, i.e., the Burstein-Moss shift, with aluminum doping as well as with the elevation of deposition temperature. And it is found that the optical and electrical properties were related to the density of states as well as the variation of donor level. when hydrogen atoms were introduced into the films, the activation energy for the generation of oxygen vacancy was smaller for the films showing higher conductivity. This indicates that the optimum deposition condition for highly conductive ZnO:Al film has strong relation to the optimum doping condition.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.125.1-125.1
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• 2015

산업 자동화기술이 발달함에 따라 다양한 용도의 부품개발과 산업 장비들의 부품에 대한 수요가 날로 증가하게 되어 산업이 발달하게 된 반면, 장비의 성능을 저하시키는 마모에 대한 문제점이 제기되고 있다. 이에 대한 해결책으로 내열성 및 내마모성을 가지는 박막코팅기술이 요구되고 있다. 특히, Alumina (Al2O3)와 Zirconia (ZrO2)는 내식성과 내열성, 내마모성의 우수한 특성을 지닌 재료이며, 이들을 기어, 베어링, 실린더 등 각종 기계의 부품에 코팅하여 내마모성을 가지게 한다. 본 실험에서는 Al2O3 : ZrO2 = 50 : 50 wt% 의 비율로 혼합한 target이 사용되었다. 그리고 Al2O3-ZrO2 target을 사용하여 RF-magnetron sputtering 방법으로 박막을 제작 하였다. sputter시에 power를 20 W에서 80 W까지 변화를 주었다. AFM, SEM, XRD를 통하여 알루미늄 기판위에 증착된 Al2O3-ZrO2 박막의 구조적 특성을 알아보았으며, 내마모성 테스트 장비를 통하여 박막의 마찰마모 특성에 대하여 조사하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.171-171
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• 2009

We have investigated the impact of coffee ring effect on the inkjet-printed $Al_2O_3$ thick films. In a single solvent system such as Dimethylformamide, the coffee-ring-pattern has appeared on the edge of sessile drop after evaporation. The peak-to-valley height difference in $Al_2O_3$ coffee ring is over 2um. This non-uniform deposition of $Al_2O_3$ over the surface leads to sever surface roughness of the inkjet-printed films. However, we have manipulated our printing parameters to improve the surface roughness and the packing density of the printed $Al_2O_3$ films. Our inkjet-printed $Al_2O_3$ films show 10 times smoother surface than the initially printed sample's surface. Also the packing density of the printed Ah03 film becomes 70% of high packed $Al_2O_3$. In this presentation, we would like to present the key process parameters of the inkjet printing process to overcome the genetic coffee ring problem.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권7호
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• pp.665-668
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• 2008

Multi-layered thin films of $Fe_2O_3/Na_3AlF_6/Fe_2O_3/Cu$, Cr, Al were deposited on glass substrate by evaporation process. As high and low refractive index material, $Fe_2O_3$ and $Na_3AlF_6$ were selected and additionally Cu, Al and Cr were chosen as mid reflective layer respectively. Optical properties including reflectance were systematically studied depending on optical thickness of $Na_3AlF_6$ especially $0.25{\lambda}$ and $0.5{\lambda}$. In order to expect the experimental result, the simulation program, the Essential Macleod Program(EMP) was adopted and compared with the experimental data. Based on the results taken by spectrophotometer at viewing angle $45^{\circ}C$, the $Fe_2O_3/Na_3AlF_6/Fe_2O_3/Cu$ show the colour rage between red and orange in $0.25{\lambda}$ and green and pupple in $0.5{\lambda}$ respectively. When the Al was used as mid reflective layers in $Fe_2O_3/Na_3AlF_6/Fe_2O_3$ system, typical yellow colour and mixed colour between green and pupple were appeared in $0.25{\lambda}$ and $0.5{\lambda}$ of $Na_3AlF_6$ respectively. As compared the experimental result to simulation data, it was found out that the experimental data is relatively well matched with the EMP simulation data.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.256-256
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• 2011

We have deposited Al2O3 thin films on Si substrates at room temperature by UV-enhanced atomic layer deposition using trimethylaluminum (TMA) and H2O as precursors with UV light. The atomic layer deposition relies on alternate pulsing of the precursor gases onto the substrate surface and subsequent chemisorption of the precursors. In many cases, the surface reactions of the atomic layer deposition are not completed at low temperature. In this experiment, the surface reactions were found to be self-limiting and complementary enough to yield uniform Al2O3 thin films by using UV irradiation at room temperature. The UV light was very effective to obtain the high quality Al2O3 thin films with defectless.

• 센서학회지
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• 제11권2호
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• pp.118-123
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• 2002

$ZnGa_2O_4$ 형광체 박막을 기판 온도를 $550^{\circ}C$에 고정시키고 산소 분압을 100, 200, 300 mTorr로 변화시키며 $Al_2O_3$(0001) 기판 위에 펄스 레이저 증착법을 이용하여 증착하였다. 다른 산소 분압에서 성장한 박막들의 미세 결정구조와 형광특성을 조사하였으며, 산소분압이 증가할수록 박막의 결정성이 변화하였으며 박막의 조성비가 다름을 형광특성을 통하여 알 수 있었다. 발광 스펙트럼은 460 nm에서 최고 피크값 을 나타내었으며, 300 nm에서 600 nm까지 갖는 넓은 밴드의 형광 특성을 나타내었다. 최적의 조건에서 성장된 박막의 형광 밝기를 고려해볼 때 $Al_2O_3$(0001) 기관이 우수한 $ZnGa_2O_4$ 형광체 박막을 성장시킬 수 있는 기판들 중 하나임을 확인하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제12권3호
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• pp.259-265
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• 2005

도금전류밀도에 따른 Ni박막과 $Ni-Al_2O_3$복합박막의 항복강도, 파괴 연신율 및 $Ni-Al_2O_3$ 복합박막내 $Al_2O_3$ 함유량을 분석하였다. $5\~20\;mA/cm^2$로 형성한 $Ni-Al_2O_3$ 내 $Al_2O_3$ 함유량은 $11.48\~11.64\;vol\%$로 거의 일정하였으나, 도금전류밀도가 $30\;mA/cm^2$로 증가함에 따라 $Al_2O_3$함유량이 $8.41\;vol\%$로 감소하였다. $Ni-Al_2O_3$ 복합박막은 모두 Ni 박막보다 높은 항복강도를 나타내었으며, 특히 $5\;mA/cm^2$로 도금한 $Ni-Al_2O_3$의 항복강도는 Ni에 비해 $50\%$증가하였다. 도금전류밀도가 증가함에 따라 Ni박막과 $Ni-Al_2O_3$복합박막의 파괴 연신율이 감소하였다. $5\;mA/cm^2$에서 도금한 $Ni-Al_2O_3$복합박막이 다른 전류밀도에서 형성한 복합박막에 비해 $Al_2O_3$가 균일하게 분산되어 있으며 가장 높은 항복강도와 파괴 연신율을 나타내었다.