• 제목/요약/키워드: $AlF_3$

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표면처리된 Ni-Cr계 합금의 FLiNaK 용융염 하에서의 고온 안정성 (Thermal stability of surface modified Ni-Cr-alloys in molten FLiNaK salt)

  • 조현;방광현;이태석;이병우
    • 한국결정성장학회지
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    • 제22권5호
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    • pp.227-232
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    • 2012
  • 차세대 원자력발전용 고온 열교환기 소재로 이용될 가능성이 높은 Ni-Cr계 고온합금인 Inconel 617과 Hastelloy X의 표면처리에 따른 FLiNaK(LiF-NaF-KF) 용융염 하에서의 고온물성에 대한 연구를 수행하였다. Inconel 617과 Hastelloy X기판 상에 각각 PVD인 arc discharge 및 sputtering법에 의해 TiAlN 및 $Al_2O_3$ 박막을 코팅 하였다. 이러한 표면처리가 이들 합금의 FLiNaK 용융염 하 고온 안정성에 미치는 영향에 대해 연구하였다. 용융염 하 Ni-Cr계 고온합금의 부식 원리를 이해하기 위해, 용융염 수송 loop에 사용 중 파단된 Inconel 파이프에 대한 미세구조 분석을 수행하였다. 표면처리 된 합금들을 $600^{\circ}C$ 용융염 내에서 열처리 하였으며, 열처리 전후 시편들에 대해 상형성, 미세구조 등 고온 물성 변화를 측정하였다. 연구결과 코팅되지 않은 경우 보다 TiAlN 및 $Al_2O_3$ 박막이 코팅된 소재에서 보다 우수한 고온 안정성을 보여주었다.

고주파 유도 플라즈마를 이용한 산화 알루미늄 초미세분말 제조 (Preparation of ultrafine aluminum oxide powders by using R.F. induced plasma)

  • ;서수형;신건철
    • 한국결정성장학회지
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    • 제5권3호
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    • pp.269-277
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    • 1995
  • 초고온(5000K 이상)의 고주파 유도 플라즈마(ICP)를 열원으로 사용하여 $AlCl_3$$Al_2(SO_4)_3$로부터 $Al_2O_3$ 초미세분말을 합성하였다. 각각 합성된 $Al_2O_3$ 미분말의 결정상은 모두${\alpha} - group({\alpha}, {wdelta}, {\theta})$의 상이었으며, 평균입경 20 nm 내외의 좁은 입도 분포를 가지는 미분말이 형성되었다. ICP tail flame 중간부(X = 500 mm)에서 MgO polycrystal plate위에 부착된 응집플록, whisker 및 판형의 형태를 통 해 기상-고상반응에 의한 성장과 입자간 소결현상을 제안 할 수 있었다. 그리고 위의 결과들로부터 spray-ICP 반응기 내에서의 $Al_2O_3$미 분말 형성과정을 제안하였다.

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비정질 실리콘 태양전지에서 투명전도막/p층 계면 특성분석 (The characteristic analysis of TCO/p-layer interface in Amorphous Silicon Solar cell)

  • 이지은;이정철;오병성;송진수;윤경훈
    • 신재생에너지
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    • 제3권4호
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    • pp.63-68
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    • 2007
  • 유리를 기판으로 하는 superstrate pin 비정질 실리콘 태양전진에서 전면 투명전도막(TCO)과 p-층의 계면은 태양전지 변환효율에 큰 영향을 미친다. 면투명전도막(TCO)으로 현재 일반적으로 사용되는 ZnO:Al는 $SnO_2:F$보다 전기, 광학적으로 우수하고, 안개율 (Haze)높으며, 수소 플라즈마에서 안정성이 높은 특징을 갖고 있다. 그래서 박막 태양전지의 특성향상에 매우 유리하나, 태양전지로 제조했을 때, $SnO_2$보다 충진율(Fill Factor:F.F)과 $V_{oc}$가 감소한다는 단점을 가지고 있다. 본 실험실에서는 $SnO_2:F$dml F.F.가 72%이 나온 반면 ZnO:Al의 F.F은 68%에 그쳤다. 이들 원인을 분석하기 위해 TCO/p-layer의 전기적 특성을 알아 본 결과, $SnO_2:F$보다 ZnO:Al의 직렬저항이 높게 측정되었다. 이러한 결과를 바탕으로 p-layer에 $R=(H_2/SiH_4)=25$로 변화, p ${\mu}c$-Si:H/p a-SiC:H로 p-layer 이중 증착, p-layer의 boron doping 농도를 증가시키는 실험을 하였다. 직렬저항이 가장 낮았던 p ${\mu}c$-Si:H/p a-SiC:H 인 p-layer 이중 증착에서 $V_{oc}$는 0.95V F.F는 70%이상이 나왔다. 이들 각 p층의 $E_a$(Activiation Energy)를 구해본 결과, ${\mu}c$-Si:H의 Ea 가 가장 낮은 것을 관찰 할 수 있었다.

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ZrF4-유리의 적외선선단 광흡수에 미치는 유리성분의 영향 (Contribution of Components of ZrF4-Based Glasses to IR Edge Absorption)

  • 정기호;최상삼
    • 한국세라믹학회지
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    • 제25권1호
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    • pp.1-6
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    • 1988
  • The IR edge absorption of the important pure components of ZrF4-based glasses, including two previously uncharacterized components(ZrF4 and AlF3), has been measured. Values of the glass IR edge absorption coefficients have been calculated from these results, assuming additivity, and are compared with experimental glass absorption coefficients. The calculated ${\alpha}$ values are about a factor of two lower than the experimental values for ZrF4-based glasses, and the ZrF4 makes the largest contribution to the calculated ${\alpha}$ value.

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희토류원소-알루미늄 화합물 $RAI_{2}$의 자기적성질 및 구조 (Magnetic Properties and Structures of Rare earth-Aluminum Compounds $RAI_{2}$)

  • Moo-hee Lee;Seung-wook Um;Tae-kyung Park
    • 한국자기학회지
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    • 제5권3호
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    • pp.185-190
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    • 1995
  • 희토류-알루미늄 금속합금, $RAI_{2}$ (R ; Lu, Ce, Gd) 를 arc-melt 방법으로 제조하였으며, 이들의 자기적성질 및 전자구조를 초전도양자간섭소자를 이용한 자기감수율 측정으로 연구하였다. $LuAl_{2}$의 자기감수율은 온도에 거의 무관하고 $10.1{\times}10^{-5}$ emu/mol, 크기의 Pauli 자화율을 보였다. 이로부터 얻어진 Fermi 준위에서의 전자상태밀도는 3.2 states/eV/formula unit였다. 한편 $CeAl_{2}$$GdAl_{2}$의 자기감수율은 성장성체의 Curie-Weiss 법칙을 따랐다. 저온에서의 자화곡선은, $CeAl_{2}$의 경우 4 K에서 반강자성적 상전이를 하고 $GdAl_{2}$의 경우 170 K에서 강자성적 상전이를 함을 보였다. 세가지 시료의 현저히 다른 자기적성질은 4f 밴드의 채움이 각기 다름에 기인한다.

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NOTE ON THE CLASSICAL WATSON'S THEOREM FOR THE SERIES 3F2

  • Choi, Junesang;Agarwal, P.
    • 호남수학학술지
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    • 제35권4호
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    • pp.701-706
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    • 2013
  • Summation theorems for hypergeometric series $_2F_1$ and generalized hypergeometric series $_pF_q$ play important roles in themselves and their diverse applications. Some summation theorems for $_2F_1$ and $_pF_q$ have been established in several or many ways. Here we give a proof of Watson's classical summation theorem for the series $_3F_2$(1) by following the same lines used by Rakha [7] except for the last step in which we applied an integral formula introduced by Choi et al. [3].

ALTERNATIVE DERIVATIONS OF CERTAIN SUMMATION FORMULAS CONTIGUOUS TO DIXON'S SUMMATION THEOREM FOR A HYPERGEOMETRIC $_3F_2$ SERIES

  • Choi, June-Sang;Rathie Arjun K.;Malani Shaloo;Mathur Rachana
    • 한국수학교육학회지시리즈B:순수및응용수학
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    • 제13권4호
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    • pp.255-259
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    • 2006
  • In 1994, Lavoie et al. have obtained twenty tree interesting results closely related to the classical Dixon's theorem on the sum of a $_3F_2$ by making a systematic use of some known relations among contiguous functions. We aim at showing that these results can be derived by using the same technique developed by Bailey with the help of Gauss's summation theorem and generalized Kummer's theorem obtained by Lavoie et al..

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산화물 피복강재의 밀착성과 내식성에 관한 연구 ( 1 ) (Studies on the Adherence and Corrosion Resistance of Oxide Coated Materials ( 1 ))

  • 이종락;임우조
    • 수산해양기술연구
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    • 제32권2호
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    • pp.157-163
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    • 1996
  • To ceramic film, $SiO_2$ and $Al_2O_3$, coated on pure Fe and stainless steel(SUS41O) by RF magnetron sputtering, the adherence between mm and substarte was studied. The adherence index (${\chi}$) was determined by the measure of micro hardness test. Also, the corrosion resistance on oxide coatings was studied using electrochemical measurement. The main results obtained are as the following: 1) In the micro-hardness test, with $1{\mu}m$ thickness mm, it has only one the value of ${\chi}$. Above $2{\mu}$thickness fIlm, however, get another value of ${\chi}$as the cracks in fIlm. 2) The oxide fIlm adhere well on the mild materials such as pure steel than high intensity materials like stainless. 3) Alumina($Al_2O_3$) coated materials have better corrosion resistance than silica($SiO_2$)coated materials

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$Al_{2}O_{3}$ Crystal Capacitor를 이용한 유전손실 측정 (Dielectric Loss Tangent Measurement Using the $Al_{2}O_{3}$ Crystal Capacitor)

  • 김광수;허인성;이종찬;박대희
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2002년도 제4회 영호남학술대회 논문집
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    • pp.109-122
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    • 2002
  • The standard capacitor must have not only precise value of the capacitance but also the basic properties of low dielectric loss tangent. In the reforming process of capacitors, the dielectric loss tangent must be also reformed. In this paper, the development of standard capacitors of 10 and 100pF for the dielectric loss tangent standard using $Al_{2}O_{3}$ Crystal and the measurement of dielectric loss tangent are discussed. The dielectric loss tangent depends upon the surface between electrode and dielectric in capacitor. With using the Electric Field Simulator, precise design values of electrode are simulated. For the purpose of measuring capacitance effect just in the dielectric, 3-Terminal and 4-Terminal Pair configuration are applied respectively at the electrode and the connector for the measuring equipment. As stated above method, the standard capacitors of 10 and l00pF for the establishment of the dielectric loss tangent standard using the $Al_{2}O_{3}$ Crystal are made with low dielectric loss tangent less than 10-4.

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