• 전기화학회지
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• 제12권3호
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• pp.263-270
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• 2009

레독스 흐름 전지의 전극으로 사용하기 위해 탄소펠트를 열처리와 산처리 방법으로 산화 개질하였다. 열중량 분석결과 열처리 또는 산처리에 의하여 탄소펠트의 섬유 표면에 고분자 물질이 제거되고 산소 관능기가 도입된 것을 확인할 수 있었으며 습식 방법인 산처리 방법보다 건식방법인 열처리 방법이 기계적 안정성을 유지하는데 효과적인 처리 방법으로 나타났다. XPS, 원소분석을 통하여 500$^{\circ}C$에서 4시간 열처리한 탄소펠트의 표면에 산소 관능기가 부가된 것을 확인하였으며 질소흡착실험에서 거의 없던 표면적이 96 $m^2/g$로 증가한 것을 알 수 있었다. CV실험 및 분극 실험을 수행한 결과 500$^{\circ}C$ 열처리 전극의 활성화 저항이 가장 낮게 나타났다. 산처리한 탄소펠트와 400$^{\circ}C$, 500$^{\circ}C$에서 열처리한 탄소펠트를 이용하여 바나듐 레독스 흐름 전지를 구성하고 충/방전 실험을 실시한 결과 충/방전 전압효율이 산처리 전극의 경우 86.6%, 400$^{\circ}C$ 열처리 전극의 경우 89.6%, 500$^{\circ}C$ 열처리 전극의 경우 90.6%로 500$^{\circ}C$ 열처리 전극이 가장 우수하였다.

• 한국분말재료학회지
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• 제2권1호
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• pp.44-52
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• 1995

Effects of the extrusion temperature and die angle on the tensile properties of SiCIyAl composites in powder extrusion have been investigated. SiCP/Al composites were extruded at various extrusion temperatures (450, 500, $550^{\circ}C$) under the extrusion ratio of 25 : 1. The ram speed was maintained at 13 cm/min for all the extrusion conditions. The surface of the extruded rod appeared to be smooth without tearing at 450 and 50$0^{\circ}C$, whereas it was very rough due to tearing at $550^{\circ}C$. It was found that the tensile strength and elongation of the composites extruded at $500^{\circ}C$ are greater than those of composites extruded at $450^{\circ}C$ This is due to the easier plastic deformation of composite extruded at $500^{\circ}C$, compared with the composites extruded at $450^{\circ}C$. The effect of die angle was examined under 20=60, 120, $180^{\circ}$die angles at extrusion temperature of $500^{\circ}C$ under 25:1 extrusion ratio. The tensile strength of the composites extruded with 20=$60^{\circ}$approved to be higher than that of the composties extruded with 28 : 120 and $180^{\circ}$This is attributable to the higher extrusion pressure, which mixed composite powders could be densely consolidated at elevated temperatures, resulting from high friction force between billet and sliding surface of conical die.

• 한국화재소방학회논문지
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• 제33권1호
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• pp.60-68
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• 2019

본 논문은 실내 공간구획에 사용되는 경량칸막이 복합벽체의 가열온도에 따른 이면부로의 전도 열전달 특성에 관한 연구이다. 경량칸막이 벽체로 일반적으로 사용되고 있는 복합재료로 구성된 스터드 칸막이, SGP 칸막이, 샌드위치 패널, 우레탄폼 패널, 그라스울 패널을 실험시료로 선정하고, $200^{\circ}C$, $300^{\circ}C$, $400^{\circ}C$, $500^{\circ}C$의 가열온도를 하단부 표면에 1800 s 동안 인가하여 상단부 표면인 이면부로의 전도 열전달 특성을 분석하였다. 실험결과 가열온도가 최대 $500^{\circ}C$로 인가됨에 따라 최대 이면온도는 스터드 칸막이 $51.6^{\circ}C$, SGP 칸막이 $63.6^{\circ}C$, 샌드위치 패널 $317.2^{\circ}C$, 우레탄폼 패널 $124.9^{\circ}C$, 그라스울 패널 $42.2^{\circ}C$로 측정되었다. $500^{\circ}C$에서의 최대 전도 열전달율은 스터드 칸막이 17.16 W, SGP 칸막이 18.39 W, 샌드위치 패널 136.65 W, 우레탄폼 패널 14.34 W, 그라스울 패널 5.57 W로 측정되었다.

• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2001년도 춘계학술대회논문집A
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• pp.495-500
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• 2001

The significant creep in copper takes place at relatively low temperature and applied stress. Thus the study on modeling of creep behavior using the copper should provide researchers with benefits such as time for the test. In this study, a test of creep crack growth regarding copper was performed at 400 and $500^{\circ}C$, and analyzed. As result, the crack growth rate at $500^{\circ}C$ turned out to be 10 times higher than that at $400^{\circ}C$ in terms of $C^*$, while the crack growth rate at $500^{\circ}C$ was several hundreds times higher than that at $400^{\circ}C$ in terms of K. Moreover, a linear relationship between the crack growth rate and $C^*$ at the same temperature was established.

• Metals and materials international
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• 제24권6호
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• pp.1432-1437
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• 2018

This work investigated edge-cracking behavior of equiatomic CoCrFeMnNi high-entropy alloy during hot rolling at rolling temperatures $500{\leq}T_R{\leq}1000^{\circ}C$. Edge cracks did not form in the material rolled at $500^{\circ}C$, but widened and deepened into the inside of plate as $T_R$ increased from $500^{\circ}C$. Edge cracks were most severe in the material rolled at $1000^{\circ}C$. Mn-Cr-O type non-metallic inclusion and oxidation were identified as major factors that caused edge cracking. The inclusions near edge region acted as preferential sites for crack formation. Connection between inclusion cracks and surface cracks induced edge cracking. Rolling at $T_R{\geq}600^{\circ}C$ generated distinct inclusion cracks whereas they were not serious at $T_R=500^{\circ}C$, so noticeable edge cracks formed at $T_R{\geq}600^{\circ}C$. At $T_R=1000^{\circ}C$, significant oxidation occurred at the crack surface. This accelerated edge crack penetration by embrittling the crack tip, so severe edge cracking occurred at $T_R=1000^{\circ}C$.

• 한국지반공학회논문집
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• 제23권2호
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• pp.29-34
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• 2007

본 연구에서는 카올린광물과 벤토나이트로 혼합물에 대한 열처리의 영향을 조사하였다. $100^{\circ}C$에서 $500^{\circ}C$까지 $100^{\circ}C$씩 온도를 증가시켜 인공적으로 생성한 혼합점토시료에 대하여, 열처리에 따른 건설재료의 강도특성을 분석코자 액성한계와 소성한계의 변화를 조사하였다. 실험 결과, 액성한계는 $100^{\circ}C$에서 $300^{\circ}C$ 사이에서는 약간 감소하는 경향을 나타내었으며, $300^{\circ}C$ 이후에는 액성한계가 급격히 감소하였다. 반면, 소성한계는 열처리의 영향이 크지 않았으며, $500^{\circ}C$로 처리한 혼합점토시료 모두에서 비소성(N.P.)을 나타내었다. 열처리에 따른 NaCl 함유량은 열처리 온도가 증가함에 따라 감소하는 것으로 나타났으며, 수소이온농도(pH) 역시 열처리의 크게 영향을 받는 것으로 나타났다. 양이온교환능력(C.E.C.) 또한, 열처리 온도에 따라 감소하는 경향을 보여 열처리에 따라 혼합점토의 액 소성한계가 영향을 크게 받는 것으로 나타났다.

• 생명과학회지
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• 제13권2호
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• pp.184-190
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• 2003

군집을 이루어 생활을 하는 세균류의 하나인 M. xanthus의 csgA 유전자는 세포 표면 단백질을 암호화하는데 이 단백질은 M. xanthus의 자실체 및 포자 형성을 수반하는 발생 (development)에 필수적이다. csgA 돌연변이들은 정상적인 성장을 보이지만, 발생 과정에서 자실체 및 포자 형성이 불가능하다. 또한, CsgA 세포간 기인한 신호 전달체계에 의해서 유발되는 CsgA 특이적 유전자들의 발현이 없거나 감소한다. socD500돌연변이는, csgA 돌연변이체로부터 자실체 혹은 포자 형성을 회복하게 해주는 2차 돌연변이 중의 하나로서, csgA 돌연변이체의 포자 형성을 회복하도록 한다. socD500에 의한 포자 형성은 영양원의 고갈 및 자실체의 형성이 없이도, 단순히 성장 온도를 $32^{\circ}C$에서 $15^{\circ}C$로 낮추는 것이 의해서 이루어진다. 이런 과정을 거쳐 형성된 포자의 구조를 전자현미경으로 관찰한 결과 정상 포자와는 다르게 단지 얇은 여러 겹의 막들이 존재하였다. 또한 socD500 돌연변이체에서 10개의 CsgA 특이적 유전자들의 발현율을 측정한 결과, 자실체 형성을 수반하는 정상적인 발생시에만 발현하는 ΩDK4506 및 ΩDK4406 유전자들이 $15^{\circ}C$에서 높게 발현되는 것으로 나타났다. 이 결과는 socD500은 CsgA에 특이적인 신호 전달체계에 관련된 일부 유전자들의 발현을 조절하는 역할에 관련되었다는 것을 알 수가 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제11권9호
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• pp.776-780
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• 2001

$SiO_2$ and polycrystalline Si layers were sequentially grown on (100) Si. NiSi was formed on this substrate from a 20nm Ni layer or a 20nm Ni/5nm Ti bilayer by rapid thermal annealing (RTA) at $300~500^{\circ}C$ to compare thermal stability. In addition, MOS capacitors were fabricated by depositing a 20nm Ni layer on the Poly-Si/$SiO_2$substrate, RTA at $400^{\circ}C$ to form NiSi, $BF_2$ or As implantation and finally drive- in annealing at $500~800^{\circ}C$ to evaluate electrical characteristics. When annealed at $400^{\circ}C$, NiSi made from both a Ni monolayer and a Ni/Ti bilayer showed excellent thermal stability. But NiSi made from a Ni/Ti bilayer was thermally unstable at $500^{\circ}C$. This was attributed to the formation of insignificantly small amount of NiSi due to suppressed Ni diffusion through the Ti layer. PMOS and NMOS capacitors made by using a Ni monolayer and the SADS(silicide as a dopant source) method showed good C-V characteristics, when drive-in annealed at $500^{\circ}C$ for 20sec., and$ 600^{\circ}C$ for 80sec. respectively.

• 한국결정성장학회지
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• 제10권2호
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• pp.105-110
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• 2000

APCVD(Atrmos phere Pressure Vapor Deposition)법으로 $\alpha$-$Fa_{2}O_{3}/SnO_{2}$계 박막 가스센서 소자를 제조하여 열처리(Heat treatment)하였으며, 가연성 가스($CH_4$, $H_2$, LPG)에 대하여 감지 특성(Sensitivity)을 측정하였다. 감지특성 향상을 위해 소자를 $400^{\circ}C$, $450^{\circ}C$, $500^{\circ}C$, $550^{\circ}C$, $600^{\circ}C$에서 각각 2시간동안 열처리하였으며 $500^{\circ}C$에서 2시간 동안 열처리하였을 때 가장 우수한 감응도를 조사하였다. 특히 $H_2$에 대하여 가장 민감한 반응을 보였다. 최적의 작동온도를 찾기 위해 $100^{\circ}C$~$300^{\circ}C$으로 변화하며 가스 감응도를 조사하였다. 제작된 소자는 작동온도 $175^{\circ}C$, 측정 범위 500ppm ~ 10,000ppm에서 $H_2$일 경우 감지도가 62%~76%를 가졌으며, $CH_2$의 경우 16%~58%, LPG의 경우 8%~37%이였다. 또한 열처리한 것과 안한 것의 감응도의 차이는 약 10%이었다. LPG 1,000ppm에서의 장기안정성은 감응도 30%의 값으로 수렴하였다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제23권12호
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• pp.10-22
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• 2009

본 논문은 독립적으로 LED의 색온도와 조도를 제어하는 알고리즘과 이를 이용한 LED 조명 시스템을 제안한다. 제안된 알고리즘이 항상 해를 가지는 것을 증명해 제안된 알고리즘이 유효함을 보여주었다. 적색, 녹색, 청색, 백색 (RGBW) LED를 사용한 LED 모듈 제어에 제안된 알고리즘을 적용하였다. 이 모듈의 색온도는 3,500~7,500[$^{\circ}K$], 조도는 500~1,500[lux] 범위에서 변화했다. LED의 접합온도가 40[$^{\circ}C$]로 유지될 때, 이 범위 내에서 색온도와 조도의 편차는 0.8[%] 이하였다. 30~70[$^{\circ}C$]의 범위에서는 목표 조도와 색온도가 각각 1,000[lux]와 6,500[$^{\circ}K$] 일 때 조도와 색온도의 편차가 2.1[%]와 3.1[%] 이하이고, 온도 보상된 경우에는 편차가 1[%]와 0.49[%] 이하였다.