• 한국광물학회지
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• 제17권4호
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• pp.309-325
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• 2004

연구는 호주 퀸즈랜드 주 북서부에 위치하는 은-납-아연 캔닝턴 광상은 호상편마암, 미그마타이트, 규선석-석류석 편암 그리고 각섬암으로 구성된 모암 주변부에서 발달해 있다. 모암에서 산출되는 규선석의 세 가지 다른 결정형태, 규선석을 포획광물로 함유한 아연-첨정석과 석류석 반상변정은 모암의 변성작용과 아연과 관련된 광화작용에 대한 지질학적 지시자로 사용되었다. 변성작용과 아연 광화작용과의 관계는 프로그램 THERMOCALC를 이용하여 KFMASH (K$_2$O-FeO-MgO-A1$_2$O$_3$-SiO$_2$- $H_2O$), KFMASHTO (K$_2$O-FeO-MgO-A1$_2$O$_3$-SiO$_2$-$H_2O$-TiO$_2$-Fe$_2$O$_3$), NCKFMASH ($Na_2$O-CaO-K$_2$O-FeO-MgO-Al$_2$O$_3$-SiO$_2$-$H_2O$) 그리고 MnNCKFMASH (MnO-$Na_2$O-CaO-K$_2$O-FeO-MgO-Al$_2$O$_3$-SiO$_2$-$H_2O$) 화학계에서 이들 세 가지 광물의 공생관계와 규선석-석류석-부분용융의 상평형 관계를 이용하여 결정하였다. MnNCKFMASH와 NCKFMASH계에서 부분 용융은 KFMASH와 KFMASHTO계에서 보다 낮은 온도에서 일어나며, MnNCKFMASH 계에서 용융 온도는 암석 화학 성분의 Na+Ca+K)의 비가 증가함에 따라 감소하는 경향을 보인다. 캔닝턴 광상의 모암은 MnNCKFMASH계의 경우 최고 온도와 압력 환경에서(634$\pm$62$^{\circ}C$, 4.8$\pm$1.3 kbar) 약 15% 용융되지만, KFMASHTO계하에서는 부분 용융이 일어나지 않는다. 규선석의 등변성도선과 모드 비의 변화를 근거로, 주상과 능면형의 규선석과 주상의 규선석을 포획하는 아연-첨정석 반상변정은 부분 용융을 포함하는 온도와 압력의 증가(약 550～$600^{\circ}C$, 2.0～3.0 kbar에서 700～75$0^{\circ}C$, 5.0～7.0 kbar)로 인한 것으로 생각된다. 또한 이와 같은 변성작용 동안의 최대 수축 변형 방향은 남-북 그 다음 동서 방향으로 주로 D$_1$과 D$_2$ 변형작용 동안에 형성되어졌다. 결론적으로 아연-첨정석의 성장과 관련된 아연 광화 작용은 D$_2$ 동안에 일어났고 그 후 부분 용융과 후기 변형/변성작용에 의해 재배치 또는 재농집 되어진 것으로 생각된다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.272-275
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• 2009

A new green phosphor, ($Mg_{1-x-yZnx)$)$Al_2O_4:Mn^{2+}{_y}$ (0 x 0.6, 0.001 y 0.01), was synthesized by a flux-assisted solid reaction and its vacuum ultraviolet (VUV) excitation and emission characteristics were examined in this study. The chromaticity and peak intensity of the $(Mg_{0.79}Zn_{0.2})Al_2O_4:Mn^{2+}{_{0.01}}$ (x = 0.177, y = 0.745) phosphor were found to be more desirable than that of $Zn_2SiO_4:Mn^{2+}$ (x = 0.216, y = 0.72) phosphor as a green primary color.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2000년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.120-120
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• 2000

• 한국결정성장학회지
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• 제17권2호
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• pp.57-62
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• 2007

Metallo-organic decomposition(MOD)법으로 willemite 녹색 형광체를 합성하였고, 열처리 온도($800{\sim}1100^{\circ}C$) 및 Mn 활성제 농도($4{\sim}12 mol%$)에 따른 발광특성과 상합성에 대해 조사하였다. 254nm 여기원을 사용한 측정에서 형광체의 열처리 온도가 $800^{\circ}C$에서 $1000^{\circ}C$로 증가함에 따라 상대 발광 피크강도는 크게 증가하였고, XRD 분석 결과 $1000^{\circ}C$ 이상의 열처리 온도에서 전형적인 willemite 결정 구조를 보여 주었다. $1000^{\circ}C$의 온도로 열처리한 willemite 형광체는 Mn 활성제 농도가 8mol% 일 때 최대 발광 강도를 나타내었으며 10mol% 이상에서는 발광 강도가 급격히 저하되는 농도 ??칭 현상이 관찰되었다. SEM 분석 결과 형광체 입자 형상은 구형에 가까웠으며 $1000^{\circ}C$에서 소성된 형광체 입자 크기는 약 $0.4{\sim}0.5{\mu}m$ 이었다.

• 한국결정성장학회:학술대회논문집
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• 한국결정성장학회 2000년도 Proceedings of 2000 International Nano Crystals/Ceramics Forum and International Symposium on Intermaterials
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• pp.35-58
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• 2000

The demand for sub-micrometer or nanometer functional ceramic powders with a better suspension behavior in aqueous media in increasing. Redispersible barium titanate (BT) nanocrystals, green light emitting Mn2+ doped Zn$_2$SiO$_4$ and ZnS nanoparticle phosphors were synthesized by a hydrothermal method or chemical precipitation with surface modification. The nanoparticle redispersibility for BT was achieved by using a polymeric surfactant. X-ray diffraction(XRD) results indicated that the BT particles are of cubic phase with 80 nm in size. XRD results of zinc silicate phosphor indicate that seeds play an important role in enhancing the nucleation and crystallization of Zn$_2$SiO$_4$ crystals in a hydrothermal condition. This paper describes and discuss the methods of surface modification, and the resulting related properties for BT, zinc silicate and zinc sulfide.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권9호
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• pp.121-127
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• 1994

The capability for application of rf magnetron sputterred and post annealed BaTiO$_{3}$ thin films in dielectrics AC drived TFELD(thin film electroluminescent device) was investigated. The dielectric constant of the thin films slightly increased up to about 25 with increase fothe post annealing temperature in the range of 210$^{\circ}C$-480$^{\circ}C$. The dielectric loss was about 0.005-0.01 except for the high frequency range above 100kHz and nearly independent on post annealing temperature. The BaTiO$_{3}$ thin film used for TFELD was annealed at 480.deg. C and Si$_{3}$N$_{4}$ thin film was inserted between BaTiO$_{3}$, lower dielecrics and ZnS:Mn, phosphor layer for stable driving of the device and for fear of interdiffusion. Regardless of the frequency of the applied sine wave voltage, the threshold voltage of the prepared TFELD was 65volt and saturated brightness was about 3000cd/m$^{2}$ at 130volt(2kHz sine wave), 65volt above V$_{TH}$.

• Corrosion Science and Technology
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• 제10권1호
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• pp.6-12
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• 2011

The selective surface oxidation of a transformation-induced-plasticity (TRIP) steel containing 1.6 wt.% Mn and 1.5 wt.% Si during annealing at $800^{\circ}C$ was investigated for its influence on the formation of an inhibition layer during hot-dip galvanizing. The selective oxidation of the alloying elements and the oxide morphology were significantly influenced by the annealing atmosphere. The pure $N_{2}$ atmosphere with a dew point $-40^{\circ}C$ promoted the selective oxidation of Mn as a crystalline $Mn_{2}SiO_{4}$ phase, whereas the $N_{2}$ + 10% $H_{2}$ atmosphere with the same dew point $-40^{\circ}C$ promoted the selective oxidation of Si as an amorphous Si-rich oxide phase. During hot-dip galvanizing, the $Mn_{2}SiO_{4}$ phase was reduced more readily by Al in the Zn bath than the Si-rich oxide phase. Consequently, the pure $N_{2}$ atmosphere resulted in a higher formation rate of $Fe_{2}Al_{5}$ particles at the Zn/steel interface and better galvanizability than the $N_{2}$ + 10% $H_{2}$ atmosphere.

• 대한금속재료학회지
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• 제49권4호
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• pp.281-290
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• 2011

In order to gain better understanding of the selective surface oxidation and its influence on the galvanizability of a transformation-induced plasticity (TRIP) assisted steel containing 1.5 wt.% Si and 1.6 wt.% Mn, a model experiment has been carried out by depositing Si and Mn (each with a nominal thickness of 10 nm) in either monolayers or bilayers on a low-alloy interstitial-free (IF) steel sheet. After intercritical annealing at $800^{\circ}C$ in a $N_2$ ambient with a dew point of $-40^{\circ}C$, the surface scale formed on 590 MPa TRIP steel exhibited a microstructure similar to that of the scale formed on the Mn/Si bilayer-coated IF steel, consisting of $Mn_{2}SiO_{4}$ particles embedded in an amorphous $SiO_{2}$ film. The present study results indicated that, during the intercritical annealing process of 590 MPa TRIP steel, surface segregation of Si occurs first to form an amorphous $SiO_{2}$ film, which in turn accelerates the out-diffusion of Mn to form more stable Mn-Si oxide particles on the steel surface. During hot-dip galvanizing, particulate $Fe_{3}O_{4}$, MnO, and Si-Mn oxides were reduced more readily by Al in a Zn bath than the amorphous $SiO_{2}$ film. Therefore, in order to improve the galvanizability of 590 TRIP steel, it is most desirable to minimize the surface segregation of Si during the intercritical annealing process.

• 한국세라믹학회지
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• 제42권5호
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• pp.333-337
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• 2005

In order to improve the performance of green emitting phosphors for plasma display panel, the $Zn_2SiO_4:Mn,Al$ phosphors were synthesized using sol-gel technique and studied using SEM and VUV photoluminescence spectrometer. pH values of the starting solutions (pH = 0.5$\~$2.34) were controled by HCl as the catalysis of hydrolysis and wet gels were dried at $80^{\circ}C$ and $120^{\circ}C$, respectively. We investigated the effects of pH and drying temperatures during sol-gel processes. The results indicated that the phosphor prepared at pH = 1 showed the maximum emission intensity in both drying conditions and the effect of pH of the starting solution on morphology were increased with particle size as HCl and phosphor dried at high temperature showed more spherical and smaller particles than at low.

• 한국재료학회지
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• 제10권1호
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• pp.49-54
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• 2000

PDP용의 새로운 녹색 $Al_3GdB_4O_{12}:Tb^{3+} 형광체와 Al_3GdB_4O_{12}:Eu_{3+}$ 적색형광체를 제조한 후 광특성을 분석하였다. 또한 이들 형광체의 발광특성을 상용품인 $Zn_2SiO_4:Mn^{2+}$ 녹색 형광체와 $(Y,Gd)BO_3: Eu^{3+}$ 적색의 PDP 형광체와 상호 비교하였다. 형광체는 $1150^{\circ}C$에서 4시간 동안 공상 반응으로 제조하였다. 147nm의 진공자외선 조사시 $Al_3GdB_4O_{12}:Tb^{3+}$(15mol%) 녹색 형광체의 발광휘도는 상용품 $Zn_2SiO_4: Mn^{2+}$ 보다 증가하였으나 색좌표는 상대적으로 저하되었다. 한편 $Al_3GdB_4O_{12}:Eu^{3+}$(15mol%) 적색 형광체의 발광 휘도는 상용품$(Y,Gd)BO_3: Eu^{3+}$ 보다 작았으나 CIE 색좌표는 일부 개선되었다. $Al_3GdB_4O_{12}$ 형광체는 $\lambda=160nm$에서 모체 흡수에 의한 강한 여기밴드가 있으며, 진공자외선 영역에서 $Al_3GdB_4O_{12}:Tb^{3+}$ 녹색형광체의 여기강도는 $Zn_2SiO_4: Mn^{2+}$ 보다 컸으나 $Al_3GdB_4O_{12}:Eu^{3+}$ 적색 형광체의 여기강도는 $(Y,Gd)BO_3: Eu^{3+}$ 보다는 작았다.