• Microbiology and Biotechnology Letters
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• v.20 no.2
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• pp.164-168
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• 1992

Enzymatic properties of avicelase, carboxymethyl cellulase (CMCase) and P-glucosidase produced by Cellulomonas sp. YE-5 were studied. Optimal temperature and pH of avicelase were 40t and 6.0, and those of CMCase and P-glucosidase were $45^{\circ}C$ and 6.5. Avicelase and CMCase were stable between pH 5.0 and 9.5, and &glucosidase was stable between pH 5.5 and 8.0. Avicelase and P-glucosidase were inactivated when incubated at $35^{\circ}C$ for 6 hrs, and CMCase was at $40^{\circ}C$ for 6 hrs. All cellulases were strongly inhibited by $Cu^{2+} \; and \; Zn^{2+}. K_m$ values of avicelase for avicel, CMCase I and CMCase II for CM-cellulose, and ($\beta$-glucosidase for p-nitrophenyl-$\beta$-D-glucoside (PNPG) were 4.76, 16.4, 16.4 $\mu g$/ml and 3.51 mM, respectively.

• The Journal of Korean Physical Therapy
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• v.24 no.2
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• pp.118-126
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• 2012

Purpose: The purpose of this study was to investigate pain relief and functional recovery after total knee replacement. Methods: The treatment was performed by dividing individuals into a control group ($n_1=5$), ultrasound treatment group ($n_2=5$), and micro-current treatment group ($n_3=5$). The control group applied the hot pack for 15 minutes, Transcutaneous Electrical Nerve Stimulation (TENS) for 15 minutes, and Continuous Passive Movement (CPM) for 40 minutes. The ultrasound therapy group applied the frequency of 1 MHz, intensity of 1.0 $W/cm^2$ for five minutes following the same treatment as the control group. The micro-current therapy group applied the intensity of 25 ${\mu}A$, and pulsation frequency 5 pps for 15 minutes following the same treatment as the control group. After treatment, Visual Analogue Scale (VAS), Korean Western Ontario and McMaster Universities Arthritis Index (K-WOMAC), Berg Balance Scale (BBS), Range of Movement (ROM) and wound length was measured. Results: VAS showed significant effect in the control group and micro-current therapy group during the treatment period. According to the treatment of K-WOMACK, BBS, ROM, and Healing wounds showed main effects between groups. Conclusion: According to the results of this study, data showed improvement of pain relief, wound healing effects, and range of motion recovery. Thus, these selected treatments were effective after total knee replacement. In other words, electrical treatment continues to influence pain relief and functional recovery after total knee replacement.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.7 no.1
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• pp.51-60
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• 1998

La-modified $PbTiO_{3}$(PLT) thin plates were prepared for the fabrication of PLT pyroelectric IR sensors. The effects of the preparation parameters such as tile sintering temperature, the La content, and the ambient powder quantity, on the microstructural and dielectric properties of PLT thin plates were investigated by X-ray diffraction, scanning electron microscope, and measurements of relative density and dielectric properties. With an increased La content, the tetragonality c/a was decreased but the densification and the grain size were increased, which is considered to be due to the increased Pb vacancy concentration to maintain charge neutrality at the increased of La content. When the quantity of the ambient powder wvas increased, the tetragonality was slightly increased, which is believed io be due to the reduced evaporation of PbO. But the e(fect is insignificant compared to that of La content. The dielectric constant at room temperature was increased and the Curie temperature was decreased in accordance with the decreased tetragonality ratio c/a with the increase of La content. The dielectric constant and tan ${\delta}$ of $500{\mu}m$ thick PLT thin plate with 10 wt% excess PbO and 10 mol% La contant sintered at $1250^{\circ}C$ for 2 hours in ambient powder of $0.02\;g/cm^{3}$ were 360 and 0.02, respectively.

• Journal of Korean Society of Occupational and Environmental Hygiene
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• v.27 no.3
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• pp.163-169
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• 2017

Objectives: This study was conducted toestimate quartz concentrations and contents in the airborne respirable dust from various industries. Methods: A total of 818 samples were collected from 174 industries. Respirable dust samples were collected using a cyclone equipped with a 37 mm, $5{\mu}m$ pore size PVC filter. The quartz concentrations were identified using the intensity of the absorption peak of quartz at $799cm^{-1}$ by Fourie Transformed Infrared Spectroscopy(FTIR). Results: The respective geometric means for quartz concentrations in the respirable dust were 0.0050, 0.0049, 0.0025, and $0.0019mg/m^3$ in foundries, ceramics, construction, and cement/stone. The geometric mean of quartz contents analyzed by FTIR were respectively 3.43, 1.99, 1.04, and 0.82% for ceramics, foundries, cement/stone, and construction. The rate of exceeding the Korean Occupational Exposure Limit($0.05mg/m^3$) was 2.03%, but rate of exceeding the American Conference of Governmental Industrial Hygienist(ACGIH) Threshold Limit Value($0.025mg/m^3$) was 7.12%. Conclusions: Given that foundries had a higher quartz concentration, there is a need to reduce respirable dust, such as through wet operation. In order to protect the health of workers exposed to mineral dust, it is necessary to actively consider strengthening the Korean Occupational Exposure Limit.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.493-494
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• 2011

수 MeV~수십 MeV 양성자빔을 이용해 백금, 은 등의 나노입자 제조실험을 수행하였다. 나노 입자는 의료분야와 산업 분야에서 그 응용성이 다양해 여러 지 방법을 이용한 제조기술이 개발되고 있다. 전자빔, 감마선, 양성자빔 등의 방사선을 이용한 나노입자 제조방법은 가장 널리 이용되고 있는 화학적 제조방법에 비해 비교적 공정이 단순하다는 장점을 가지고 있지만 공정 변수의 제어방법이 확립되어 있지 않아 이에 대한 연구가 필요한 실정이다. 특히, 양성자빔의 경우 에너지에 따른 투과깊이의 조절과 플럭스나 총 선량, LET (Linear Energy Transfer) 등의 변수와 제조된 나노입자의 상관관계 등에 대한 연구가 선행되어야 한다. 본 논문에서는 백금산 용액을 이용한 나노입자 제조 결과와 대면적 양성자빔을 이용하기 위한 초음파 이용 나노입자제조장치의 제작 및 실험결과에 대해 논하고 향후 건설될 100MeV 선형 양성자가속장치의 나노입자 제조실험에의 응용을 위한 이용시설을 소개하고자 한다. 나노입자 제조실험은 한국원자력의학원의 MC-50 싸이클로트론을 이용하여 수행하였으며, 가속기로부터 인출되는 에너지는 35, 45MeV, 빔전류는 수십 nA~수${\mu}A$의 범위 내에서 조절하였다. 제조된 나노입자는 TEM을 이용하여 그 크기와 분포를 관찰하였다. 대면적의 양성자빔을 이용하는 경우, 수mm의 두께와 수십 cm의 직경을 가지는 원반 모양의 시료용기를 사용하여 양성자빔의 에너지와 선량을 정확히 조절할 수 있게 되는데 이 때 용기 내 시료와 양성자빔간의 균일한 반응을 위해 용액을 적절하게 섞어 주어야만 한다. 이러한 목적으로 초음파를 이용하여 나노입자 제조장치를 제작하여 실험을 수행하였다. 나노입자 제조는 현재 교과부의 지원으로 경주 건천지역에 건설되고 있는 100MeV 선형양성자가속기의 주요 이용 분야 중의 하나로 20MeV 빔라인 중 한 개의 빔라인과 표적실을 나노입자 제조 등의 실험을 위한 시설로 구축 중이다. 최대 평균전류 1.6mA 까지 가능하고 펄스폭은 0.05~1.33 msec까지 조절가능하도록 개발되고 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.196-196
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• 2011

팔라듐-구리 합금 분리막은 세륨산화물로 전처리된 다공성 니켈 지지체 위에 마그네트론 스퍼터 공정과 구리리플로우 공정에 의해 제조되었다. 스퍼터 공정은 얇고 치밀한 팔라듐 합금 분리막 증착을 위해 아주 효과적이다. 본 연구에서는 고온 스퍼터 공정에 의해 증착된 팔라듐 상부에 유동성과 열적확산이 우수한 구리를 코팅한 후, 반도체 분야에서 기가 패턴 매립시 사용하는 구리리플로우 공정을 도입하였다. 구리리플로우 공정은 치밀하고 미세기공이 존재하지 않는 표면을 구현하고 무한대의 수소 투과도를 가능하게 한다. 이로써 마그네트론 스퍼터에 의해 $200^{\circ}C$에서 팔라듐과 구리를 순차적으로 코팅한 후, $700^{\circ}C$에서 2시간 구리리플로우 공정을 실시하여 $7.5{\mu}m$ 두께의 팔라듐-구리 합금 분리막이 제조되었다. 세륨산화물(CeO2)은 고온에서 장시간 운전하는 동안 다공성 니켈 지지체의 금속성분이 팔라듐 합금층으로 확산하는 금속의 확산 문제를 개선하고자 지지체와 코팅층 사이에 확산방지막으로 도입되었으며, 균일한 스퍼터 증착을 위해 평탄한 표면의 지지체를 구현하였다. 투과도 테스트는 100-400kPa 의 압력차, 673-773K 의 온도 조건에서 순수한 수소가스로 실시하였다. 표면 미세기공이 없는 치밀한 팔라듐-구리 합금 분리막은 혼합가스에서 질소의 투과 없이 수소만을 투과하는 무한대의 우수한 분리도를 나타내었으며, 상용온도 $500^{\circ}C$에서 12.6ml/$cm^2{\cdot}min{\cdot}atm$의 수소 투과 능력을 보였다. 본 연구에 의해 제조된 팔라듐-구리 합금 분리막은 표면 미세기공이 없는 치밀한 분리막 제조를 가능하게 하였으며 열팽창계수가 팔라듐과 매우 비슷한 세륨산화물($CeO_2$)로 인해 지지체층과 코팅층과의 접합력이 향상되고 수소취성에 강하고 높은 열적 안정성을 갖는다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.75-75
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• 2011

전이금속(transition metal) 질화물(nitride)은 높은 경도, 내마모성, 부식 저항성 그리고 내열성 등과 같은 우수한 기계적 물성 때문에 많은 연구가 되어 왔다. 이 중 질화 티타늄은 높은 경도, 내식 및 내마모의 우수한 기계적 특성으로 공구(tool)와 같은 제품의 수명 향상을 위한 표면 코팅으로 사용되어 왔으며, 금(gold)색의 미려한 색상을 이용한 제품의 외관 표면처리, 정형외과 및 치과용 보형물의 수명 및 안정성 향상 등 다양한 분야에 응용 되고 있다. 본 연구에서는 Cathodic Arc 코팅 방식을 이용하여 질화 티타늄을 합성하였으며, 경사 코팅에 따른 단층 및 다층 피막(3-layer)의 미세조직 변화와 그 물성을 평가하였다. 아크 소스에 장착된 타겟은 99.5%의 Ti 타겟을 사용하였고, 시편과 타겟 간의 거리는 약 31 cm이며, 시편은 알코올과 아세톤으로 초음파 세척 된 냉연강판과 SUS 304를 사용하였다. 시편을 진공용기에 장착하고 ~10-6 Torr까지 진공배기를 실시하고, Ar 가스를 진공용기 내로 공급하여 ~10-4 Torr에서 시편에 bias (Pulse : 400V)를 인가한 후 아크를 발생시켜 약 5분간 청정을 실시하였다. 플라즈마 청정이 끝나면 시편에 인가된 bias를 차단하고 코팅하였다. 경사 코팅을 위한 시편의 회전각은 $30^{\circ}$, $45^{\circ}$, $60^{\circ}$이며, 질화 티타늄의 두께는 약 $3{\mu}m$로 동일하게 코팅 하였다. 경사 코팅된 박막의 경우는 동일 시간 코팅하였을 경우 경사각이 커질수록 두께가 감소하였다. 경사각에 따라 코팅 층이 성장하였고, Bias를 인가 할 경우에는 경사 입사의 효과가 상쇄됨이 관찰되었다. 또한 경사 코팅에 의해 제조된 티타늄 질화물의 경도는 저하 되었으며, $30^{\circ}$와 $60^{\circ}$에 비해 $45^{\circ}$ 경우 경도 저하가 가장 적었다. 결론적으로 Cathodic 아크 코팅 방법으로 질화티타늄을 합성하였고, 경사 코팅을 통해 박막의 미세조직 변화를 확인 하였다. 본 연구에서 얻어진 결과를 이용하여 다양한 구조로 박막의 성장을 유도 할 수 있으며, 이를 통해 경도, 내마모성, 내식성 등의 물성을 변화시킬 수 있는 장점을 가질 것으로 예상된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.333-333
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• 2011

We have investigated the breakdown properties in liquids by high voltage pulse system. High voltage pulse power system is consisted of the Marx-generator with two capacitors (0.5 ${\mu}F$, withstanding voltage is 40 kV), to which the charging voltage can be applied to maximum 30 kV DC, spark gap switch and charging resistor of 20 $M{\Omega}$. We have made use of tungsten pin electrodes of anode-cathode (A-K), which are immersed into the liquids. The breakdown voltage and current signals are measured by high voltage probe (Tektronix P6015A) and current monitor (IPC CM-1.S). Especially the high speed breakdown or plasma propagation characteristics in the pulsed A-K gap have been investigated by using the high speed ICCD camera. We have measured the electron temperature through the Boltzmann plot method from the breakdown spectrums. Here the A-K gap has been changed by 1 mm, 2 mm, and 3 mm. The used liquids are distilled water and solution of salt (0.9 %). The output voltage and current signals at breakdown in distilled water are shown to be bigger than those in saline solution. The breakdown voltage and current characteristics in liquids will be discussed in accordance with A-K gap distances. It is also found that the electron temperatures and plasma densities in liquids are decreased in conformity with A-K gap.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.7
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• pp.692-699
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• 1996

nptype Si(100)웨이퍼를 precleaning하고 HF 용액에 dip etching한 후 E-beam dvaporator에 장착하여 Co 단일막($170\AA$, $340\AA$)과 Co/Ti 이중막($200\AA$/ $(50-100)\AA$)을 성장시켰다. 시편의 RTA 과정에서는 N2분위기에서 direct annealing 방식으로 열처리 온도와 시간을 변화시켜가며 Co-silicidation 공정을 수행하였다. Co 단일막으로 형성된 Co-실리사이드의 면저항은 $500^{\circ}C\leq$T$\leq$$850^{\circ}C$범위에서 열처리 온도와 시간의 변화에 관계없이 거의 일정한 값을 나타내었다. Co/Ti 이중막의 경우 Co-실리사이드의 형성온도가 Co 단일막의 경우에 비해 높게 나타나고 낮은 비저항의 CoSi2를 얻기 위해서는 $800^{\circ}C$이상의 온도로 열처리해야 함을 알 수 있었다. XRD 분석결과, Co 단일막으로부터 얻어진 CoSi2는 (111) 및 (220) 결정상을 나타내었으나, Co/Ti 이중막에 의한 CoSi2는 (200)결정상만이 나타나서 Si(100)기판과 에피층을 이루고 있음을 알 수 있었다. 본 실험에서 CoSi2의 비저항은 약 $18\mu$$\Omega$.cm로 나타났으며, TEM 및 AES 분석으로부터 Co/Ti bilayer-실리사이드가 다량의 Si과 Ti 외에 소량의 Co가 섞여있는 표면 복합층과, Si과 Co만이 존재하는 내부 에피층으로 구성됨을 확인하였다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.16 no.4
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• pp.257-263
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• 2006

We have investigated the effect of silver added to Cu films on the microstructure evolution, resistivity, surface morphology, stress relaxation temperature, and adhesion properties of Cu(Ag) alloy thin films deposited on Mo glue layer upon annealing. In addition, pure Cu films deposited on Mo has been annealed and compared. The results show that the silver in Cu(Ag) thin films control the grain growth through the coarsening of its precipitates upon annealing at $300^{\circ}C{\sim}600^{\circ}C$ and the grain growth of Cu reveals the activation energy of 0.22 eV, approximately one third of activation energy for diffusion of Ag dopant along the grain boundaries in Cu matrix (0.75 eV). This indicates that the grain growth can be controlled by Ag diffusion along the grain boundaries. In addition, the grain growth can be a major contributor to the decreased resistivity of Cu(Ag) alloy thin films at the temperature of $300^{\circ}C{\sim}500^{\circ}C$, and decreases the resistivity of Cu(Ag) thin films to $1.96{\mu}{\Omega}-cm$ after annealing at $600^{\circ}C$. Furthermore, the addition of Ag increases the stress relaxation temperature of Cu(Ag) thin films, and thus leading to the enhanced resistance to the void formation, which starts at $300^{\circ}C$ in the pure Cu thin films. Moreover, Cu(Ag) thin films shows the increased adhesion properties, possibly resulting from the Ag segregating to the interface. Consequently, the Cu(Ag) thin films can be used as a metallization of advanced TFT-LCDs.