References
- A. T. Neal, S. Mou, R. Lopez, J. V. Li, D. B. Thomson, K. D. Chabak, and G. H. Jessen, Sci. Rep., 7, 13218 (2017). [DOI:https://doi.org/10.1038/s41598-017-13656-x]
- S. J. Pearton, J. Yang, P. H. Cary IV, F. Ren, J. Kim, M. J. Tadjer, and M. A. Mastro, Appl. Phys. Rev., 5, 011301 (2018). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.5006941]
- S. Zhang, X. Lian, Y. Ma, W. Liu, Y. Zhang, Y. Xu, and H. Cheng, J. Semicond., 39, 8 (2018). [DOI: https://doi.org/10.1088/1674-4926/39/8/083003]
- H. Murakami, K. Nomura, K. Goto, K. Sasaki, K. Kawara, Q. T. Thieu, R. Togashi, Y. Kumagai, M. Higashiwaki, A. Kuramata, S. Yamakoshi, B. Monemar, and A. Koukitu, Appl. Phys. Express, 8, 015503 (2015). [DOI: https://doi.org/10.7567/apex.8.015503]
- Y. Zhang, F. Alema, A. Mauze, O. S. Koksaldi, R. Miller, A. Osinsky, and J. S. Speck, APL Mater., 7, 022506 (2019). [DOI:https://doi.org/10.1063/1.5058059]
- J. W. Roberts, J. C. Jarman, D. N. Johnstone, P. A. Midgley, P. R. Chalker, R. A. Oliver, and F.C.P. Massabuau, J. Cryst. Growth, 487, 23 (2018). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.02.014]
- T. Oshima, Y. Kato, M. Imura, Y. Nakayama, and M. Takeguchi, Appl. Phys. Express, 11, 065501 (2018). [DOI: https://doi.org/10.7567/apex.11.065501]
- D. Shinohara and S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys., 47, 7311 (2008). [DOI: https://doi.org/10.1143/jjap.47.7311]
- Y. Oshima, E. G. Villora, and K. Shimamura, Appl. Phys. Express, 8, 055501 (2015). [DOI: https://doi.org/10.7567/apex.8.055501]
- V. Gottschalch, S. Merker, S. Blaurock, M. Kneiss, U. Teschner, M. Grundmann, and H. Krautscheid, J. Cryst. Growth, 510, 76 (2019). [DOI: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.01.018]
- Y. Zhang, F. Alema, A. Mauze, O. S. Koksaldi, R. Miller, A. Osinsky, and J. S. Speck, APL Mater., 7, 022506 (2019). [DOI:https://doi.org/10.1063/1.5058059]
- K. Kaneko, H. Kawanowa, H. Ito, and S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys., 51, 020201 (2012). [DOI: https://doi.org/10.7567/jjap.51. 020201]
- H. K. Son, Y. J. Choi, Y. H. Ra, J. H. Hwang, Y. J. Lee, M. J. Lee, J. H. Kim, S. W. Kim, T. Y. Lim, and D. W. Jeon, J. Korean Cryst., 28, 135 (2018).
- H. K. Son, Y. J. Choi, J. H. Hwang, and D. W. Jeon, Solid State Sci. Technol., 8, Q3024 (2019). [DOI: https://doi.org/10.1149/2.0051907jss]
- K. Doverspike, L. B. Rowland, D. K. Gaskill, and J. A. Freitas, J. Electron. Mater., 24, 269 (1995). [DOI: https://doi.org/10.1007/bf02659686]
- Y. Ohba and R. Sata, J. Cryst. Growth, 221, 258 (2000). [DOI:https://doi.org/10.1016/s0022-0248(00)00695-3]
- H. K. Son and D. W. Jeon, J. Alloys Compd., 773, 631 (2019). [DOI: https://doi.org/10.1016/ j.jallcom.2018.09.230]
- S. Rafique, M. R. Karim, J. M. Johnson, J. Hwang, and H. Zhao, Appl. Phys. Lett., 112, 052104 (2018). [DOI: https://doi.org/10.1063/1.5017616]
- M. Baldini, M. Albrecht, A. Fiedler, K. Irmscher, R. Schewski, and G. Wagner, ECS J. Solid State Sci. Technol., 6, Q3040 (2017). [DOI: https://doi.org/10.1149/2.0081702jss]
- K. D. Leedy, K. D. Chabak, V. Vasilyev, D. C. Look, J. J. Boeckl, J. L. Brown, S. E. Tetlak, A. J. Green, N. A. Moser, A. Crespo, D. B. Thomson, R. C. Fitch, J. P. McCandless, and G. H. Jessen, Appl. Phys. Lett., 111, 012103 (2017). [DOI:https://doi.org/10.1063/1.4991363]
- Y. Chen, H. Song, D. Li, X. Sun, H. Jiang, Z. Li, G. Miao, Z. Zhang, and Y. Zhou, Mater. Lett., 114, 26 (2014). [DOI:https://doi.org/10.1016/j.matlet.2013.09.096]