초록
대용량 EEPROM 메모리를 테스트하는 경우 erase time과 program time이 많이 걸리는 문제가 있다. 또한 신뢰성 테스트를 진행하면서 각 스텝마다 EEPROM 셀의 문턱전압 VT를 테스트할 필요가 있다. 본 논문에서는 512kb EEPROM 셀 검증용 모듈 회로를 설계하였으며, negative VTE를 갖는 split gate EEPROM의 VT 측정을 위한 CG(Control Gate) 구동회로를 제안하였다. 제안된 CG 구동회로는 erase VT를 측정하기 위해 -3V~0V의 negative 전압이 인가될 수 있도록 asymmetric isolated HV (High-Voltage) NMOS 소자를 사용하였다. 그리고 test time reduction 모드에서는 even page, odd page, chip 단위로 erase나 program 수행이 가능하도록 회로를 설계하므로 512Kb EEPROM 전체 메모리를 erase하거나 program할 때 시간을 even page와 odd page를 이용하는 경우는 4ms, chip 전체로 하는 경우는 2ms로 테스트 시간을 줄일 수 있었다.
There is a problem of long erase and program times in testing large-density memories. Also, there is a need of testing the VT voltages of EEPROM cells at each step during the reliability test. In this paper, a cell verification module is designed for a 512kb EEPROM and a CG (control gate) driver is proposed for measuring the VT voltages of a split gate EEPROM having negative erase VT voltages. In the proposed cell verification module, asymmetric isolated HV (high-voltage) NMOS devices are used to apply negative voltages of -3V to 0V in measuring erase VT voltages. Since erasing and programming can be done in units of even pages, odd pages, or a chip in the test time reduction mode, test time can be reduced to 2ms in testing the chip from 4ms in testing the even and the odd pages.