References
- Z. J. Tang, D. Q. Zhao, R. Li, and X. H. Zhu, Trans. Electr. Electron. Mater., 15, 16 (2014). [DOI: http://dx.doi.org/10.4313/TEEM.2014.15.1.16].
- Z. J. Tang, Z. G. Liu, and X. H. Zhu, Trans. Electr. Electron. Mater., 4, 155 (2010). [DOI: http://dx.doi.org/10.4313/TEEM.2010.11.4.155].
- L. Liu, J. P. Xu, F. Ji, J. X. Chen, and P. T. Lai, Appl. Phys. Lett., 101, 033501 (2012). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.4737158].
- J. H. Park, S. H. Hur, J. H. Lee, J. T. Park, J. S. Sel, J. W. Kim, S. B. Song, J. Y. Lee, J. H. Lee, S. J. Son, Y. S. Kim, M. C. Park, S. J. Chai, J. D. Choi, U. I. Chung, J. T. Moon, K. T. Kim, K. Kim, and B. I. Ryu, Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet., 873 (2004). [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/IEDM.2004.1419319 ].
- Y. H. Hsiao, H. T. Lue, T. H. Hsu, K. Y. Hsieh, and C. Y. Lu, Proc. IEEE Int. Memory Workshop, 1 (2010). [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/IMW.2010.5488390 ].
- S. H. Gu, D. W. Hsu, T. Wang, W. P. Lu, Y. H. J. Ku, and C. Y. Lu, IEEE Trans. Electron Devices, 54, 90 (2007). [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/TED.2006.887219].
- A. Arreghini, G. S. Kar, G. Van den Bosch, and J. Van Houdt, IEEE Electron Device Lett., 35, 632 (2013). [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/LED.2013.2253442].
- S. D. Tzeng and S. Gwo, J. Appl. Phys., 100, 023711 (2006). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.2218025].
- A. Arreghini, N. Akil, F. Driussi, D. Esseni, L. Selmi, and M. J. van Duuren, Solid State Electron., 52, 1460 (2008). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2008.04.016].
- M. Chang, M. Jo, S. Kim, Y. Ju, S. Jung, J. Lee, J. Yoon, C. Lee, and H. Hwang, Appl. Phys. Lett., 93, 232105 (2008). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3041642].
- Y. Wang and M. H. White, Solid-State Electronics, 49, 97 (2005). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2004.06.009].
- T. H. Kim, J. S. Sim, J. D. Lee, H. C. Shim, and B. G. Park, Appl. Phys. Lett. , 85, 660 (2004). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.1773615].
- K. Bernert, C. Oestreich, J. Bollmann, and T. MikolajickI, Appl. Phys. A, 100, 249 (2010). [DOI: http://dx.doi.org/10.1007/s00339-010-5694-0].
- C. L. Hinkle, C. Fulton, R. J. Nemanich and G. Lucovsky, Microelectronic Engineering, 72, 257 (2004). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2003.12.047].
- Y. N. Tan, W. K. Chim, B. J. Cho, and W. K. Choi, IEEE Trans. Electron Devices, 51, 1143 (2004). [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/TED.2004.82986].