Abstract
Exposure process is the most important technology to fabricate highly integrated circuit. Up to now, mask type lithography process has been generally used. However, it is not efficient for small quantity and/or frequently changing products. Therefore, maskless lithography technology is raised in exposure process. In this study, relations between multi-beam energy and overlay were analyzed. Exposure experiment of generating pattern was performed. It was from presented scan line by multi- beam simulation. As a result, optimal scan line distance was proposed by simulation, and micro pattern accuracy could be improved by exposure experiment using laser direct imaging system.
고 집적 회로의 제작에 있어서 노광 공정은 가장 중요한 기술로 주로 마스크 방식의 노광 방법을 사용하지만 다품종 소량 생산 및 주기적인 제품 변화에 있어서 효율적이지 못하기 때문에 마스크리스 리소그래피 기술이 노광공정에서 각광받고 있다. 본 연구에서는 DMD를 이용한 마스크리스 리소그래피에 있어 다중 레이저 빔의 에너지와 중첩도와의 연관성을 시뮬레이션을 통해 분석하였다. 시뮬레이션을 통해 최적의 스캔 라인 간격을 제시하였고, LDI 시스템을 이용한 노광 실험을 통해 미세 페턴의 정밀도를 향상시킬 수 있었다.
