RF Modeling of Silicon Nanowire MOSFETs

실리콘 나노와이어 MOSFET의 고주파 모델링

  • Kang, In-Man (School of Electronics Engineering, Kyungpook National University)
  • 강인만 (경북대학교 IT대학 전자공학부)
  • Received : 2010.06.25
  • Published : 2010.09.25

Abstract

This paper presents the RF modeling for silicon nanowire MOSFET with 30 nm channel length and 5 nm channel radius. Equations for analytical parameter extraction are derived by analysis of Y-parameter. Accuracies of the new model and extracted parameters have been verified by 3-dimensional device simulation data up to 100 GHz. The model verifications are performed under conditions of saturation region ($V_{gs}$ = $_{ds}$ = 1 V) and linear region ($V_{gs}$ = 1 V, $V_{ds}$ = 0.5 V). The RMS modeling error of Y-parameters was calculated to be 1 %.

본 논문에서는 30 nm 채널 길이와 5 nm의 채널 반지름을 갖는 실리콘 기반의 나노와이어 MOSFET의 고주파 모델링을 다루고 있다. 3차원 소자 시뮬레이션을 이용하여 실리콘 나노와이어 MOSFET의 Y-parameter와 Z-parameter를 100 GHz까지 확보하였으며 이를 이용하여 모델 파라미터에 필요한 수식을 구하였다. 모델과 파라미터 추출 수식을 이용하여 회로 검증용 tool인 HSPICE에 의하여 검증이 이루어졌으며 quasi-static 기반의 고주파 모델이 100 GHz의 높은 주파수까지도 소자의 특성을 정확히 예측함을 확인하였다. 모델 검증은 MOSFET의 포화 영역 ($V_{gs}$ = $_{ds}$ = 1 V)과 선형 영역 ($V_{gs}$ = 1 V, $V_{ds}$ = 0.5 V)의 바이어스 조건에서 이루어졌으며 두 바이어스 조건에서의 Y-parameter에 대한 모델의 오차는 약 1 %로 매우 작은 값을 보여 준다.

Keywords

References

  1. 윤형선, 임수, 안정호, 이희덕, "RFIC를 위한 Nano-scale MOSFET의 Effective gate resistance 특성 분석", 대한전자공학회논문지 제 41 권 SD편11 호 pp. 1-6, 2004.
  2. 이병진, 박성욱, 엄우용, "SOI FinFET's의 소신호 등가 모델과 변수 추출", 대한전자공학회논문지 제 44 권 IE 편 제 2 호 pp. 1-7, 2007.
  3. N.-K. Tak and J.-H. Lee, "RF Small Signal Modeling of Tri-Gate MOSFETs Implemented on Bulk Si Wafers", 2004 Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, pp. 266-269, 2004.
  4. A. A. Breed and K. P. Roenker, "A small-signal, RF simulation study of multiple-gate and silicon-on insulator MOSFET devices", 2004 Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems, September 2004, pp. 294-297.
  5. S. Jin, C. H. Park, I.-Y. Chung, Y. J. Park, and H. S. Min, "NANOCAD Framework for Simulation of Quantum Effects in Nanoscale MOSFET Devices", Journal of Semiconductor Technology and Science, March 2006, Vol. 6, No. 1, pp. 1-9.
  6. Z. Yan, A. H. Majedi, "Experimental Investigations on Nonlinear Properties of Superconducting Nanowire Meanderline in RF and Microwave Frequencies", IEEE Trans. Appl. Supercond., Vol. 19, No. 5, pp. 3722-3729, Oct. 2009. https://doi.org/10.1109/TASC.2009.2021575
  7. J. Song, B. Yu, Y. Yuan, and Y, Taur, "A Review on Compact Modeling of Multiple-Gate MOSFETs," IEEE Trans. Circuits Syst. Regul. Pap., vol.56, no. 8, pp. 1858-1869, Aug. 2009. https://doi.org/10.1109/TCSI.2009.2028416
  8. J. Zhunge, R. Wang, R. Huang, X. Zhang, and Y. Wang, "Investigation of Parasitic Effects and Design Optimization in Silicon Nanowire MOSFETs for RF Applications," IEEE Trans. Electron Devices, vol.55, no. 8, pp. 2142-2147, Aug. 2008. https://doi.org/10.1109/TED.2008.926279
  9. S. Lee and H. K. Yu, "A Semianalytical Parameter Extraction of a SPICE BSIM3v3 for RF MOSFET's Using S-parameters," IEEE Trans. on Microwave Theory and Techniques, Vol.48, No. 3, pp. 412-416, 2000. https://doi.org/10.1109/22.826840