반도체디스플레이기술학회지 (Journal of the Semiconductor & Display Technology)

한국반도체디스플레이기술학회 (The Korean Society Of Semiconductor & Display Technology)
권호 표지

HDP CVD 챔버 형상 변화에 따른 가스 유동 균일성에 대한 연구

Study for Gas Flow Uniformity Through Changing of Shape At the High Density Plasma CVD (HDP CVD) Chamber

  • 투고 : 2010.11.29
  • 심사 : 2010.12.17
  • 발행 : 2010.12.31
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초록

According to recent changes in industry for the semiconductor device, a gap between patterns in wafer is getting narrow. And this narrow gap makes a failure of uniform deposition between center and edge on the wafer. In this paper, for solving this problem, we analyze and manipulate the gas flow inside of the HDP CVD chamber by using CFD(Computational Fluid Dynamics). This simulation includes design manipulations in heights of the chamber and shape of center nozzle in the upper side of the chamber. The result of simulation shows 1.28 uniformity which is lower 3% than original uniformity.

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참고문헌

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