A 60GHz Active Phase Shifter with 65nm CMOS Switching-Amplifiers

65nm CMOS 스위칭-증폭기를 이용한 60GHz 능동위상변화기 설계

  • Choi, Seung-Ho (Dept. of Electrical Engineering, Korea University) ;
  • Lee, Kook-Joo (Dept. of Electrical Engineering, Korea University) ;
  • Choi, Jung-Han (Digital Media & Communications Research Center, Samsung Electronics) ;
  • Kim, Moon-Il (Dept. of Electrical Engineering, Korea University)
  • 최승호 (고려대학교 전자전기공학과) ;
  • 이국주 (고려대학교 전자전기공학과) ;
  • 최정환 (삼성전자주식회사 DMC연구소) ;
  • 김문일 (고려대학교 전자전기공학과)
  • Received : 2010.09.03
  • Accepted : 2010.09.29
  • Published : 2010.09.30

Abstract

A 60GHz active phase shifter with 65nm CMOS is presented by replacing passive switches in switched-line type phase shifter with active ones. Active-switch phase shifter is composed of active-switch blocks and passive delay network blocks. The active-switch phase shifter design is compact compare with the conventional vector-sum phase shifter. Active-switch blocks are designed to accomplish required input and output impedances whose requirements are different whether the switch is on or off. And passive delay network blocks are composed of lumped L,C instead of normal microstrip line to reduce the size of the circuit. An 1-bit phase shifter is fabricated by TSMC 65nm CMOS technology and measurement results present -4dB average insertion loss and 120 degree phase shift at 65GHz.

기존의 수동 스위치를 사용한 스위치-라인 타입 위상변화기의 수동 스위치를 스위칭 증폭기로 대체한 60GHz CMOS 능동위상변화기를 소개하였다. 능동스위치 위상변화기는 능동스위치 블록과 수동 딜레이 네트워크 블록 구성되며, 기존의 vector-sum 위상변화기와 비교해 간단한 회로 구성이 가능하다. 능동스위치 블록은 On-Off state에 따라 다르게 요구되는 입출력 저항을 고려하여 설계하였고, 수동 딜레이 네트워크 블록은 회로의 크기를 최소화하기 위하여 일반적인 microstrip line 대신 lumped 인덕터와 커패시터를 사용하여 구성하였다. TSMC 65nm CMOS 공정을 이용하여 1-bit 위상변화기를 제작 및 측정하였으며, 그 결과 65GHz에서 평균 -4.0dB 의 삽입손실과 120도의 위상차를 얻었다.

Keywords

References

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