References
- K. Chang, M. S. Kwon, S. I. Cho, J. Korean Vac. Soc., 12(4) (2005) 222.
- H. Y. Shin, S. H. Jung, J. B. Yoo, S. J. Suh, C. W. Yang, J. Kor. Inst. Surf. Eng., 36(2) (2003) 135.
- B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, W.-N. Jiang, Y.-F. Wu, H. Masui, X. Wu, B. Heying, J. S. Speck, U. K. Mishra, S. P. Denbaars, J. Electrnon. Mat., 24(11) (1995) 1707. https://doi.org/10.1007/BF02676837
- E. Woelk, H. Beneking, J. Crystal Growth, 93 (1988) 216. https://doi.org/10.1016/0022-0248(88)90530-1
- B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, W.-N. Jiang, Y.-F. Wu, H. Masui, X. Wu, B. Heying, J. S. Speck, U. K. Mishra, S. P. Denbaars, J. Electrnon. Mat., 24(11) (1995) 1707. https://doi.org/10.1007/BF02676837
- 경원테크 user conference (2009) 202.
- I. G. Kwak, J. K. Byun, K. Choi, S. Y Hahn, Trans. KIEE, 49B(5) (2000) 327.
- Y. S. Yang, K. Y. Bae, H. Y. Shin, J. of KWJS, 26(4) (2008) 367.
- 유승희, 박병욱, 대한전기학회 하계학술대회 논문집 (2002) 1037.
- W. K. Yang, J. H. Joo, Y. W. Kim, B. J. Lee, J. Korean Vac. Soc., 19(1) (2010) 46.
- 백재상, 부진효, 한전건, 김윤제, 춘계학술대회 논문집 (2007) 76.
Cited by
- Numerical Modeling for GaN Deposition by MOCVD: Effects of the Gas Inlet vol.23, pp.3, 2014, https://doi.org/10.5757/ASCT.2014.23.3.139