A study on electrical response property of photoconductor film for x-ray imaging sensor

X선 영상센서 적용을 위한 광도전체 필름의 전기적 응답특성 연구

  • Kang, Sang-Sik (Department of Radiological Science of Korea International Univ.) ;
  • Kim, Chan-Wook (Department of Radiological Science of Korea International Univ.) ;
  • Lee, Mi-Hyun (Department of Radiological Science of Korea International Univ.) ;
  • Lee, Kwang-Ok (Department of Radiological Science of Korea International Univ.) ;
  • Moon, Yong-Soo (Department of Radiological Science of Korea International Univ.) ;
  • An, Sung-A (Department of Radiological Science of Korea International Univ.) ;
  • No, Ci-Chul (Department of Biomedical Engineering of Inje Univ.) ;
  • Park, Ji-Koon (Department of Radiological Science of Korea International Univ.)
  • 강상식 (한국국제대학교 방사선학과) ;
  • 김찬욱 (한국국제대학교 방사선학과) ;
  • 이미현 (한국국제대학교 방사선학과) ;
  • 이광옥 (한국국제대학교 방사선학과) ;
  • 문용수 (한국국제대학교 방사선학과) ;
  • 안성아 (한국국제대학교 방사선학과) ;
  • 노시철 (인제대학교 의용공학과) ;
  • 박지군 (한국국제대학교 방사선학과)
  • Received : 2009.09.05
  • Accepted : 2009.12.22
  • Published : 2009.12.31

Abstract

Recently, the compound materials(a-Se, $HgI_2$, PbO, CdTe, $PbI_2$, etc.) that are used in flat panel x-ray imager have been studied for digital x-ray imaging. In this paper, the signal detection properties of $HgI_2$ and a-Se conversion layer, are compared. The thick $HgI_2$ film is fabricated by special particle-in-binder method and the conventional vacuum thermal evaporation is used for a deposition of a-Se film. And an electrical characteristic measurements were investigated about leakage current, signal response property and x-ray sensitivity. From the experimental results show that the $HgI_2$ film has a low operation voltage and high signal generation than that of a-Se.

최근 디지털 방사선 영상획득을 위한 평판형 X선 검출기에 이용되는 광도전체(a-Se, $HgI_2$, PbO, CdTe, $PbI_2$ 등)에 대한 관심이 증대되고 있다. 본 연구에서는 $HgI_2$ 와 a-Se 필름 변환체에 대해 X선에 대한 전기적 신호검출 특성을 조사하였다. 수백 마이크로의 두꺼운 광도전체 필름 제작을 위해 $HgI_2$는 입자침전방법을 이용하였고, a-Se은 종래의 진공열증착법을 이용하였다. 제작된 시편에 대한 전기적 특성 실험은 누설전류, 신호응답 특성, 민감도 등을 측정하였다. 실험결과로부터, $HgI_2$는 상용화된 a-Se에 비해 낮은 동작전압특성과 우수한 신호 발생율을 보임을 알 수 있었다.

Keywords