MCM-D 공정기술을 이용한 V-BAND FILTER 구현에 관한 연구

V-Band filter using Multilayer MCM-D Technology

  • Yoo Chan-Sei (The school of electrical engineering & computer science, Seoul National University) ;
  • Song Sang-Sub (The school of electrical engineering & computer science, Seoul National University) ;
  • Part Jong-Chul (Electronic Materials & Packaging Research Center, Korea Electronics Technology Institute) ;
  • Kang Nam-Kee (Electronic Materials & Packaging Research Center, Korea Electronics Technology Institute) ;
  • Cha Jong-Bum (Electronic Materials & Packaging Research Center, Korea Electronics Technology Institute) ;
  • Seo Kwang-Seok (The school of electrical engineering & computer science, Seoul National University)
  • 발행 : 2006.09.01

초록

본 연구에서는 Si bump를 이용해 기판의 기계적, 열적 특성을 개선한 MCM-D 기판공정을 개발하였고, 이를 system-on-package(SOP)-D개념의 system 구현에 적용하고자 하였다. 이 과정에서 밀리미터파 대역에 적용될 수 있는 필터를 설계하고 구현하여 그 특성을 관찰하였다. 두 가지 형태의 필터를 구현하였는데 첫 번째는 공진기간의 커플링을 이용한 구조로서 2층의 금속층과 3층의 유전체(BCB)를 이용하였다. 구현된 필터 특성은 중심주파수 55 GHz에서의 삽입손실이 2.6 dB이고 군지연이 0.06 ns정도로 우수한 특성을 나타내었다. 또한 일반적으로 알려진coupled line 형태의 필터를 구현하였는데 삽입손실이 3 dB, 군지연이 0.1 ns정도의 특성을 나타내었다. 이렇게 내장형 필터를 포함한 MCM-D 기판은 MMIC를 flip-chip 방법으로 실장 할 수 있어서 집적화된 밀리미터파 대역 초소형 system 구현에 적용되어 우수한 특성을 나타낼 것으로 기대된다.

Novel system-on-package (SOP) - D technology to improve the mechanical and thermal properties of a MCM-D substrate was suggested. Based on this investigation, the two types of band pass filters for the V-band application with unique structure were designed and implemented using 2-metals, 3-BCB layers. The first type using distributed resonator had the insertion loss below 2.6 dB at 55 GHz and group delay was below 0.06 ns. For the second type with edge coupled structure, the insertion loss and group delay were 3 dB and 0.1 ns, respectively. Suggested MCM-D substrate with band pass filter can be used to evaluate mm-Wave system including flip-chip bonded MMIC.

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참고문헌

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