Abstract
We have observed a large increase in the magnetoresistance (MR) of Bi thin films, which were subjected to a post-annealing procedure at $268^{\circ}C$C, $3^{\circ}C$ below the Bi melting point. We have achieved an increase in the MR by 260-fold and 1200-fold at 5 K and 5 T after post-annealing, as compared with 190 and 620 for an as-deposited Bi film on PbTe/CdTe(111) and on mica, respectively. The large MR increase by post-annealing might be due to the improvement of crystallinity according to the x-ray analysis. However, post-annealing over a certain amount time showed the reduction in MR values.
비스무스의 녹는점보다 3 도 낮은 온도인 $268^{\circ}C$에서 후열처리를 하여 비스무스 박막에서 자기저항의 큰 증가를 관측하였다. 레드텔러라이드 / 케드뮴텔러라이드 기판 위에서는 온도 5 K, 자기장 5T 하에서 190 에서 260으로, 마이카 기판 위에서는 620 에서 120 으로 자기저항의 큰 증가를 나타내었다. 이러한 자기저항의 큰 증가는, 열처리에 따른 결정도의 향상에 기인한 것으로 보인다. 하지만 일정 시간 이상의 오랜 시간의 열처리는 자기저항을 감소시키는 것으로 관측되었다.