초록
초고속 정보통신망의 구축에 있어 광모듈은 중요한 부분을 차지하고 있다. 그 중에서 광원인 레이저 다이오드는 온도에 변화에 대해 성능이 크게 좌우되므로, 많은 연구가 이루어지고 있다. 본 논문은 평면 매립형 레이저 다이오드를 비율 방정식에 의하여 전기적 등가회로로 변환하였다. 그리고, 누설 경로에 해당하는 활성층 바깥 영역을 다이오드와 두 개의 트랜지스터로 등가화한 후, 시뮬레이션을 통해 누설전류를 해석하였다. 시뮬레이션을 통해 누설전류를 줄이기 위한 전류차단층의 도핑농도를 조사하였다.
Optical module plays an important role in the construction of high speed communication network. Laser diode is a component of optical module, and its characteristics are dependent of temperature, so many researches are reported. In this paper, we proposed the electrical equivalent circuit of PBH-LD based on the rate equations. And, the two leakage paths exit outside the active region. One path is converted pn-diode and the other path is converted two transistors using npn-Tr and pnp-Tr. In order to reduce the leakage currents, we observed the dependence of carrier concentrations of current blocking layers using PSPICE simulator.
