초록
최근에 인공위성용 전자소자는 우주방사선에 좀 더 강한 소자를 요구되어진다. 왜냐하면, 인공위성의 수명과 기능은 우주방사선으로부터 영향을 받기 때문이다. 또한, 과거에는 부품단위의 우주방사선 시험을 수행하지 않고 유닛 또는 서브시스템 단위의 우주방사선 시험을 수행하였다. 게다가, 발사된 인공위성이 작동오류 상태에 있을 때 그 이유를 분석하기에는 그다지 쉬운 일은 아니다. 따라서, 발사 전 부품 단위 우주방사선 시험을 수행하여 주요 소자에 대한 우주방사선에 의한 영향을 분석 할 필요가 있으며, 지상에서 데이터를 확보할 필요가 있다. 그러므로, 본 논문에서는 모든 전자소자의 기본이라 할 수 있는 금속-산화막 반도체 전계효과 트랜지스터의 총이온화선량에 대한 영향 시험을 수행하기 위한 테스트 베드를 제안한다.
Recently, all the electrical parts for satellite application are required more strong against cosmic rays, because spacecraft's life time and function are depending on the their conditions. Also, a TID effect test was undertaken with units and/or subsystems which are already assembled on the PCB in past time. However, it is very hard to know and analyze that some abnormal states are appeared after launch. Moreover, it is necessary to perform a test of TID effects based on the parts level for preparing preliminary data in cosmic rays. Therefore, this paper presents a test-bed to perform a TID effect test of Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) which is a fundamental element for electronics.
