초록
본 논문에서는 Step recovery diode와 반도체 레이저의 이득 스위칭을 이용하여 UWB(Ultra Wide Band) 통신 시스템의 구성요소 중 하나인 임펄스 발생기를 설계하였다. 구현된 임펄스 발생기는 4부분으로 구성하였으며, 1번째는 SRD를 이용하여 반도체 레이저의 이득스위칭을 위한 1차 임펄스 발생기, 2번째는 출력된 1차 임펄스를 이득 스위칭을 조건에 맞추기 위한 전류조절기, 3번째는 1차 임펄스 발생기에서 출력된 임펄스를 반도체 레이저의 이득 스위칭을 이용하여 가우시안 펄스를 발생하는 2차 임펄스 발생기, 4번째는 구현된 가우시안 펄스를 UWB를 위한 가우시안 모노펄스로 변환하는 펄스 변환부로 구성되어 있다. 측정된 가우시안 모노펄스는 시간상에서 360 psec의 펄스폭과 -70 mV에서 +50 mV의 크기를 가지며, 주파수상에서 -41 dBm의 크기와 3.6 GHz의 대역폭을 가짐으로써 UWB를 위한 임펄스에 적합함을 확인하였다.
In this paper, we implemented a impulse generator, the one of the part in UWB(Ultra Wide Band) system using step recovery diode(SRD) and gain-switced semiconductor laser. The impulse generator was consisted of four stages; The first stage used SRD to generate the first impulse for gain switching. The second stage controled current for the suitable gain switching condition. The third was the second impulse generator to generate gaussian pulse. For gain switching, the first impulse was applied to semiconductor laser. In the last stage the gain switched impulse was converted into mono-gaussian pulse. The measured mono-gaussian pulse was 360 psec pulse-width and $-70mV \~ +50mV$ amplitude in time domain. In frequency domain its magnitude and bandwidth was, respectively, -41dBm and 3.6GHz. Accordingly, the impulse generator that we suggested was suitable for UWB systems.