초록
근거리에서의 무선설비제어, 구내음성통신과 같은 전파통신설비의 송수신 모듈에 실리콘 바이폴라 트랜지스터가 많이 사용되고 있다. 이러한 실리콘 바이폴라 트랜지스터의 내부 전류원에 대한 새로운 모델링 방법이 제시되었다. 제안된 방법은 Si-BJT의 새로운 열 저항 추출방법과 전류원 파라메터에 대한 새로운 해석적인 방정식에 기반을 두고 있다. 이 방법은 기존의 방법에서 채택된 반복적인 최적화 과정 없이 바로 파라메터를 구할 수 있다. 제안된 방법을 5개의 핑거를 가지는 $0.4\times20[{\mu}m^2]$ 의 Si-BJT에 이 방법을 적용시켰으며, 모델링된 데이터는 측정결과를 $3[\%]$ 이내의 오차로 잘 예측하였다.
Silicon bipolar transistors (Si-BJT) are widely used in the telecommunication system such as short range wireless control and wireless indoor voice communication system. New modeling method for the internal current source model of Si-BJT is proposed. The proposed method based on new thermal resistance extraction method and new analytical expressions for the current source parameters of Si-BJT. The proposed method can directly extract the model parameters without any optimization procedure which is adopted in the conventional modeling method. The proposed method is applied to 5 finger $0.4\times20[{\mu}m^2]$ and the model shows good prediction of the measured data in $3[\%]$ of errors proving the validity of this method.