Abstract
The present approach based on the genetic algorithm with improved selections of bonds was adopted to extract a bridged T equivalent circuit elements of $\times10\mu m^2$InGaP/GaAs HBT. the small-signal model parameters were extracted using the genetic algorithm from S-parameters measured at different frequencies under multiple forward-active biases, which demonstrate physically meaningful values and consistency. The agreement between the measured and modeled S-parameters is excellent over the frequency range of 2 to 26.5GHz.
에미커 크기가 2$\times10\mu m^2$인 InGaP/GaAs이종접합 바이폴라 트랜지스터의 T자 모양으로 연결된 등기회로 요소를추출하기 위하여, 경계구간 설정이 개선된 유전자 알고리즘을 채택하였다. 이 소신호 모델 파리미터를 유전자 알고리즘을 사용하여, 다양한 순방향 바이서스에 측정한 S-파리미터로부터 추출하였다. 추출된 값들은 물리적인의미와 일관성을 보여준다. 모델 S-파리미터는 측정 S-파라미터와 2GHz-26.6GHz의 주파수 범위에서 잘 일치한다.
