Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D (전자공학회논문지D)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

Analysis of Wavelength Conversion Characteristics in SSGDBR Laser Diode

SSGDBR 레이저 다이오드의 파장변환 특성 해석

  • Kim, Su-Hyun (Dept. of Elec. Comm Eng., School of Electronis Eng. Kwangwoon University) ;
  • Chung, Young-Chul (Dept. of Elec. Comm Eng., School of Electronis Eng. Kwangwoon University)
  • 김수현 (光云大學敎 電子工學部/電子通信工學科) ;
  • 정영철 (光云大學敎 電子工學部/電子通信工學科)
  • Published : 1999.02.01
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Abstract

Among various wavelength conversion technologies, that using the cross-gain modulation in laser diode makes it possible to deal with the high speed signal quite simply and efficiently. In this paper, presented was the applicability of an improved time-domain large-signal dynamic model as a CAD tool to analyzed the characteristics of SSGDBR(Superstructure Grating Distributed Bragg Reflector) laser diodes used for wavelength converters. Using this model, it was shown that this kind of wavelength converter can provide the widely tunable wavelength conversion of the high speed data above 10 Gbps. We also investigated the effect of input optical power and the bias current on the characteristics of the device such as extinction ration and eye diagram. The modeling results show very similar trend to the experimental reports.

다양한 파장변화 기술중에서 레이져 다이오드의 발전상태에서 교차이득변도(Cross-Gain Modulation)을 이용한 파장변환은 고속의 신호를 매우 간단하고 효율적으로 처리할 수 있다. 본 논문에서는 SSGDBR (Superstructure Grating Distributed Bragg Reflector) 레이저 다이오드의 파장변환기로서 특성을 분석하고 광통신 네트웍 모델링을 위한 CAD 도구로서 개선된 시영역 대신호 동적모델(Time-Domain Large-Signal Dynamic Model)의 유용성을 제시하였다. 이 모델을 l용하여 이런 구조의 파장변환 소자는 10Gbps이상 고속데이터를 처리할 수 있고 광대역 파장변환이 가능하다는 것을 확인하였다. 입력 광신호의 세기와 주입되는 전류가 파장변환된 신호의 소광비 등에 미치는 영향 및 Eye Diagram 등을 살펴 보았으며, 기존에 발표된 실험결과들과 매우 유사한 경향을 보임을 관측하였다.

Keywords