Characterization of the structural defects in the dendritic web-grown silicon ribbon

Dendritic web으로 성장된 규소 결정속의 결함 규명

The dislocation configuration in web-grown silicon ribbon was investigated using chemical etching techniques. The presence of dislocation loops on twin planes is observed and acounted for by self-interstitial condensation. The interstitials were either quenched in, due to the rapid cooling of the ribbon from the solidification temperatures, or produced by oxide precipitation on the twin plane. Very large faulted loops of mm size were also observed.

Dendritic-web 방법으로 성장된 규소의 결정속에 존재하는 여러 결합을 화학적 etching 방법으로 규명하였다. Twin plan상에 존재하는 전위의loop이 관찰되었고 이들은 규소의 self - interstital이 condensation되어서 형성된 것으로 판단된다. 이들 규소의 self-interstitial은 응고 온도로 부터의 급냉에 의하여 혹은 oxide precipitation에 의하여 생성되 것으로 여겨진다.