대한전자공학회논문지 (Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics)
- 제26권6호
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- Pages.124-130
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- 1989
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- 1016-135X(pISSN)
고밀도 DRAM Cell의 새로운 구조에 관한 연구
A Study on New High Density DRAM Cell
초록
ITIC를 중심으로 고밀도 DRAM을 위한 획기적인 밀도 향상을 기할 수 있는 공정과정과 회로디자인의 기술 혁신에 대하여 지다이너 입장에서 논의하였다. 여기서 개발한 TETC라 부르는 DRAM은 trench 기술과 SEG기술을 이용하였는데
For the higher density DRAM'S, innovations in fabrication process and circuit design which have led to dramatic density improvement are discussed from the desinger's perspective. A new dynamic RAM cell called Trench Epitaxial Transistor Cell(TETC) using trench technics and SEG have been developed for use in future megabit DRAMS. Storge electrode with
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