Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics (대한전자공학회논문지)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

Fabrication and Characteristics of CdSe TFT

CdSe TFT의 제조 및 전기적 특성

  • 김기원 (경북대학교 공과대학 전자공학과) ;
  • 이우일 (경북대학교 공과대학 전자공학과)
  • Published : 1981.08.01
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Abstract

The Cdse TFTs with SiO gate insulator layer have been fabricated with vacum evaporatim technique. The effects of semiconductor thickness and drain-source channel length on the electrical propertis have been investigated. The TFTs with 1000$\AA$ SiO insulator, 1500 $\AA$ CdSe semiconductor layer and 40$\mu$m chammel length showed the best characteristics.

CdSe 반수체와 SiO유전체를 사용하여 진공증착방법으로 박막트랜지스터를 제조하고 반도체의 두께 및 드레인-소오스간의 채널길이 변화가 박막트랜지스터의 특성에 미치는 경향을 조사하였다. 반도체의 두께를 1500Å으로 하고 채널길이를 40μm으로 제조한 TFT가 가장 좋은 특성을 나타내었다. 이 특성을 MOSFET의 관계식에 적용하여 이로부터 Cd Se반도체의 캐리어 이동도는 115㎠/V·sec였고 활성화 에너지는 0.13ev였다.

Keywords