한국정보통신학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference)

한국정보통신학회 (The Korea Institute of Information and Commucation Engineering)
권호 표지

3차원 순차적 NOR 게이트의 전기적 상호작용

Electrical Coupling of 3D Monolithic NOR Gate

  • 안태준 (한경대학교 전기전자제어공학과) ;
  • 김영백 (한국생산기술연구원) ;
  • 유윤섭 (한경대학교 전기전자제어공학과)
  • Ahn, Tae Jun (Department of Electrical, Electronic and Control Engineering, Hankyong National University) ;
  • Kim, Young Baek (Group for Nano-Photonics Convergence Technology, Korea Institute of Industrial Technology) ;
  • Yu, Yun Seop (Department of Electrical, Electronic and Control Engineering, Hankyong National University)
  • 발행 : 2019.05.23
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초록

이 논문은 3차원 순차적 NOR 게이트 구조에 존재하는 전기적인 상호작용을 TCAD 시뮬레이션을 이용해 조사하였다. 3차원 순차적 NOR 게이트의 전기적 상호작용은 하층 및 대각선에 위치한 소자에 의해 발생할 수 있다. 대각선에 위치한 소자의 PgateB에 전압의 유무에 관계없이 상층 NMOSFET의 드레인 전류가 동일하게 나타났고, 대각선 방향으로의 전기적인 상호작용은 소자 특성에 영향을 주지 않는 것을 확인하였다.

We have investigated the electrical coupling in a 3D monolithic NOR gate structure using TCAD simulation. The electrical coupling of 3D monolithic NOR gate can be caused by the transistor located in the upper/lower or diagonal transistors. The drain current of the upper layer NMOSFET is the same when the voltage of PgateB is 0 V and 1 V. It has been confirmed that the electrical coupling in the diagonal direction does not affect the device characteristics.

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