Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)

The Korea Institute of Information and Commucation Engineering (한국정보통신학회)
권호 표지

Electrical Coupling of 3D Monolithic NOR Gate

3차원 순차적 NOR 게이트의 전기적 상호작용

  • Ahn, Tae Jun (Department of Electrical, Electronic and Control Engineering, Hankyong National University) ;
  • Kim, Young Baek (Group for Nano-Photonics Convergence Technology, Korea Institute of Industrial Technology) ;
  • Yu, Yun Seop (Department of Electrical, Electronic and Control Engineering, Hankyong National University)
  • 안태준 (한경대학교 전기전자제어공학과) ;
  • 김영백 (한국생산기술연구원) ;
  • 유윤섭 (한경대학교 전기전자제어공학과)
  • Published : 2019.05.23
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Abstract

We have investigated the electrical coupling in a 3D monolithic NOR gate structure using TCAD simulation. The electrical coupling of 3D monolithic NOR gate can be caused by the transistor located in the upper/lower or diagonal transistors. The drain current of the upper layer NMOSFET is the same when the voltage of PgateB is 0 V and 1 V. It has been confirmed that the electrical coupling in the diagonal direction does not affect the device characteristics.

이 논문은 3차원 순차적 NOR 게이트 구조에 존재하는 전기적인 상호작용을 TCAD 시뮬레이션을 이용해 조사하였다. 3차원 순차적 NOR 게이트의 전기적 상호작용은 하층 및 대각선에 위치한 소자에 의해 발생할 수 있다. 대각선에 위치한 소자의 PgateB에 전압의 유무에 관계없이 상층 NMOSFET의 드레인 전류가 동일하게 나타났고, 대각선 방향으로의 전기적인 상호작용은 소자 특성에 영향을 주지 않는 것을 확인하였다.

Keywords