Digital Implementation methode of Totem-pole PFC using GaN Transistor

GaN 트랜지스터를 적용한 토템폴 역률개선회로의 디지털 구현방법

  • Kwak, Bongwoo (EV Components & Materials Group, Korea Institute of Industrial Technology) ;
  • Kim, Myungbok (EV Components & Materials Group, Korea Institute of Industrial Technology)
  • 곽봉우 (한국생산기술연구원 EV부품소재그룹) ;
  • 김종훈 (충남대학교 전기공학과)
  • Published : 2019.11.22

Abstract

본 논문은 GaN 트랜지스터를 적용한 토템폴 PFC(Power Factor Correction)의 디지털 구현을 위한 방법을 제시한다. 특히, GaN 트랜지스터의 낮은 역회복 특성으로 토템폴 PFC의 연속 연속 모드 동작을 가능하게 한다. 토템폴 PFC는 고속 스위칭을 하는 레그를 GaN 트랜지스터를 사용하고, 라인 주파수로 스위칭 하는 레그는 일반적인 MOSFET을 사용하게 된다. 구조적으로 토템폴 PFC는 제로 크로싱에서 전류 스파이크 문제가 발생한다. GaN 트랜지스터는 전류 스파이크에 취약하기 때문에 최소화되어야 한다. 따라서, 본 논문은 디지털 구현에 있어 제로 크로싱에서 소프트 스타트 구현을 통해 이 문제를 최소화 하고, 모의실험을 통해 디지털 구현의 타당성을 입증하였다.

Keywords