포켓 구조 터널링 전계효과 트랜지스터의 2D 터널링 효과

2D Tunneling Effect of Pocket Tunnel Field Effect Transistor

이 논문은 터널링 전계효과 트랜지스터의 밴드 간 터널링 전류 계산에 대하여 1차원과 2차원 방향의 터널링이 어떤 차이를 나타내는지 알아보았다. 2차원 방향의 터널링은 1차원 방향의 터널링에서 계산 되지 않는 대각선 방향의 터널링이 나타나기 때문에 더 정확한 터널링 전류를 계산할 수 있다. 시뮬레이션 결과는 문턱전압 이상의 전압에서는 2차원 방향으로 일어나는 터널링이 큰 영향을 미치지 않지만, 문턱전압 이하에서는 문턱전압 이하 기울기에 많은 영향을 미친다.

This paper introduces about the difference between the tunneling currents in the 1D and 2D directions for the calculation of the band-to-band tunneling currents of the tunneling field effect transistors. In the two-dimensional tunneling, diagonal tunneling is not calculated in the one-dimensional tunneling so that more accurate tunneling current can be calculated. Simulation results show that the tunneling in the two - dimensional direction has no effect on the voltage above the threshold voltage, but it affects the subthreshold swing below the threshold voltage.