Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference (한국진공학회:학술대회논문집)
- 2013.08a
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- Pages.228.1-228.1
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- 2013
InAs/GaAs 양자점 태양전지에서 양자점 크기 및 온도에 따른 Photovoltage 효과
- Yun, Su-Jin ;
- So, Mo-Geun ;
- Son, Chang-Won ;
- Han, Im-Sik ;
- No, Sam-Gyu ;
- Lee, Sang-Jun ;
- Kim, Jong-Su
- 윤수진 (영남대학교 물리학과) ;
- 소모근 (영남대학교 물리학과) ;
- 손창원 (영남대학교 물리학과) ;
- 한임식 (영남대학교 물리학과) ;
- 노삼규 (한국표준과학연구원 나노소재평가센터) ;
- 이상준 (한국표준과학연구원 나노소재평가센터) ;
- 김종수 (영남대학교 물리학과)
- Published : 2013.08.21
Abstract
Photoreflectance (PR) 분광법은 비접촉, 비파괴적인 변조분광법으로서 반도체 표면 및 계면의 광학적 특성 연구에 많이 이용되고 있다. PR 신호의 Franz-Keldysh oscillation (FKO)으로부터 Molecular Beam Epitaxy (MBE) 방법으로 성장한 InAs/GaAs 양자점 태양전지 접합계면의 전기장을 조사하였다. InAs 양자점의 크기는 각각 1.7, 2.0, 2.5, 3.0 monolayer이며, p+-n-n+ 태양전지 구조의 표면으로부터 1.8