A study of conversion of silicon nanowires by diffusion of gold

금확산을 이용한 실리콘 나노선 타입 변환에 관한 연구

  • Koo, Ja-Min (Department Of Electrical Engineering And Institute Of Nanoscience, Korea University) ;
  • Lee, Myeong-Won (Department Of Electrical Engineering And Institute Of Nanoscience, Korea University) ;
  • Kang, Jeong-Min (Department Of Electrical Engineering And Institute Of Nanoscience, Korea University) ;
  • Yoon, Chang-Joon (Department Of Electrical Engineering And Institute Of Nanoscience, Korea University) ;
  • Kim, Kwang-Eun (Department Of Electrical Engineering And Institute Of Nanoscience, Korea University) ;
  • Kim, Sang-Sig (Department Of Electrical Engineering And Institute Of Nanoscience, Korea University)
  • 구자민 (고려대학교 전기전자전파공학과, 나노과학연구소) ;
  • 이명원 (고려대학교 전기전자전파공학과, 나노과학연구소) ;
  • 강정민 (고려대학교 전기전자전파공학과, 나노과학연구소) ;
  • 윤창준 (고려대학교 전기전자전파공학과, 나노과학연구소) ;
  • 김광은 (고려대학교 전기전자전파공학과, 나노과학연구소) ;
  • 김상식 (고려대학교 전기전자전파공학과, 나노과학연구소)
  • Published : 2009.07.14

Abstract

n형 특성을 가진 실리콘 나노선을 금확산을 이용하여 p형 특성을 가진 상태의 나노선으로 변환하였다. Back-gate 형태로 제작된 n형의 실리콘 나노선 전계 효과 트랜지스터를 제작한 후, 채널로 사용되는 나노선 위에 금을 열증착방법을 이용하여 증착했다. 이후, 급속열처리공정을 통해 실리콘 나노선에 금이온을 확산시켰다. 나노선의 특성 변환을 확인하기 위하여 전계 효과 트랜지스터의 특성곡선을 통해 그 변화를 관찰하였다.

Keywords