Optimization of High Efficiency Single Crystalline Silicon Solar Cell by Using PC1D

PC1D를 이용한 결정질 실리콘 태양전지 최적화

Doping depth, doping concentration, and resistivity of crystalline silicon solar cell are variables which take important portion in cell's efficiency. To get highly efficient solar cell, PC1D is used to calculate $I_{sc}$, $V_{oc}$, and $P_{max}$. Depth factor, peak doping, and base resistivity was used as variables. As a result, the optimized value of emitter peak doping is $1\times10^{19}cm^{-3}$, depth factor is $1{\mu}m$, and base $\rho$ is $ 0.1\Omega$-cm. Under the optimized condition, the solar cell gets efficiency 19.03(%).

결정질 실리콘 웨이퍼의 도핑농도와 도핑깊이, 비저항은 태양전지의 효율을 결정하는데 매우 중요한 요소이다. 높은 효율을 갖는 태양전지의 설계를 위해 PC1D를 이용해 태양전지의 에미터 도핑농도와 깊이, 베이스 비저항을 조절하였다. 최적화 결과 emitter peak doping $1\times10^{19}cm^{-3}$와 depth factor $1{\mu}m$, base $\rho$ $ 0.1\Omega$-cm, 즉 sheet resistance $69.15\Omega$/square와 $X_j$ $1.603{\mu}m$일 때 $I_{sc}$ = 5.478(A), $V_{oc}$ = 0.7013(V), $P_{max}$ = 2.828(W), FF = 73.61(%), Efficiency = 19.03(%)의 고효율을 얻을 수 있다.