한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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- Pages.137-137
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- 2006
FeRAM 적용을 위한 BLT 캐패시터 제조시 CMP 공정 압력 변화에 따른 누설전류 특성
Characteristics of Leakage Current by Polishing Pressures in CMP of BLT films Capacitor for applying FeRAM
- Jung, Pan-Gum (Chosun University) ;
- Kim, Nam-Hoon (Sungkyunkwan University) ;
- Lee, Woo-Sun (Chosun University)
- 발행 : 2006.11.09
초록
본 연구에서는 FeRAM 적용을 위한 BLT 캐패시터 제조시 CMP 공정압력 변화에 따른 Leakage Current의 특성에 대해서 연구하였다. 6-inch Pt/Ti/Si 웨이퍼를 사용하였으며, 기판 위에 졸-겔(Sol-Gel)법으로 모든 BLT를 스핀코팅을 이용하여 증착시켰다. 증착된 BLT는