Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2006.11a
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- Pages.97-98
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- 2006
High Speed Sram Transistor Performance 향상에 관한 연구
- NamGung, Hyeon ;
- Hwang, Deok-Seong ;
- Jang, Hyeong-Sun ;
- Park, Sun-Byeong ;
- Hong, Sun-Hyeok ;
- Kim, Sang-Jong ;
- Kim, Seok-Gyu ;
- Kim, Gi-Jun ;
- No, Yong-Han
- 남궁현 (삼성 반도체 총괄 메모리 사업부, DRAM PA팀) ;
- 황덕성 (삼성 반도체 총괄 메모리 사업부, DRAM PA팀) ;
- 장형순 (삼성 반도체 총괄 메모리 사업부, DRAM PA팀) ;
- 박순병 (삼성 반도체 총괄 메모리 사업부, DRAM PA팀) ;
- 홍순혁 (삼성 반도체 총괄 메모리 사업부, DRAM PA팀) ;
- 김상종 (삼성 반도체 총괄 메모리 사업부, DRAM PA팀) ;
- 김석규 (삼성 반도체 총괄 메모리 사업부, DRAM PA팀) ;
- 김기준 (삼성 반도체 총괄 메모리 사업부, DRAM PA팀) ;
- 노용한 (성균관대학교 정보통신공학부)
- Published : 2010.04.01
Abstract
For high performance transistor in the 0.14um generation, high speed sram is using a weak region of SCE(Short Channel Effect). It causes serious SCE problem (Vth Roll-Off and Punch-Through etc). This paper shows improvement of Vth roll-off and Ion/Ioff characteristics through high concentration Pocket implant, LDD(Light Dopped Dram) and low energy Implant to reduce S/D Extension resistance. We achieve stabilized Vth and Improved transistor Ion/Ioff performance of 10%.