Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)
- 2006.10a
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- Pages.50-52
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- 2006
Effects of Hot-Carrier Stress and Constant Current Stress on the Constant Performance Poly-Si TFT with a Single Perpendicular Grain Boundary
단일 수직형 그레인 경계 (Single Perpendicular Grain Boundary) 구조를 가지는 고성능 다결정 실리콘 박막 트랜지스터(Poly-Si TFT)에서의 고온 캐리어 스트레스(Hot Carrier Stress) 및 정전류 스트레스(Constant Current Stress) 효과
- Choi, Sung-Hwan (School of Electrical Engineering and Computer Sciences, Seoul National University) ;
- Song, In-Hyuk (School of Electrical Engineering and Computer Sciences, Seoul National University) ;
- Shin, Hee-Sun (School of Electrical Engineering and Computer Sciences, Seoul National University) ;
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Han, Min-Koo
(School of Electrical Engineering and Computer Sciences, Seoul National University)
- Published : 2006.10.27
Abstract
본 논문은 고성능 다결정 실리콘(Poly-Si) 박막 트랜지스터 (Thin Film Transistor)에서 단일 수직 그레인 경계(Single Perpendlcular Grain Boundary)가 고온 캐리어 스트레스(Hot Carrier Stress) 및 정전류 안정성 평가에서 어떠한 효과를 보이는가에 대해서 살펴보았다. 고온 캐리어 스트레스 하에서(
Keywords