Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)
- 2006.07c
- /
- Pages.1382-1383
- /
- 2006
Etching mechanism of ZnO films using high density plasma
고밀도 플라즈마를 이용한 ZnO 박막의 식각 특성 분석
- Kang, Chan-Min (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University) ;
- Kim, Gwan-Ha (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University) ;
- Kim, Chang-Il (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang University)
- Published : 2006.07.12
Abstract
ZnO 박막은 wide band gap(Eg=3.37eV)의 derect band gap을 갖고 있기 때문에 여러 소자로의 응용가능성에 큰 기대를 하고 있는 물질이다. 본 논문에서는 소자 제조과정에서 요구되는 ZnO 박막의 식각변수에 따른 식각율과 식각특성에 관하여 연구하였으며 Inductively coupled plasma(ICP)를 사용하여
Keywords