Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

The Optimized Monolithic Fault Protection Circuit for the Soft-shutdown behavior of 600V PT-IGBT by employing a New Blanking Filter

600V Punch-through형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 Soft-shutdown을 위해 시간 지연 회로를 적용한 새로운 보호회로

  • Lim, Ji-Yong (School of Electrical Engineering, Seoul National University) ;
  • Ji, In-Hwan (School of Electrical Engineering, Seoul National University) ;
  • Ha, Min-Woo (School of Electrical Engineering, Seoul National University) ;
  • Choi, Young-Hwan (School of Electrical Engineering, Seoul National University) ;
  • Choi, Yearn-Ik (Division of Electronics Engineering, Ajou University) ;
  • Han, Min-Koo (School of Electrical Engineering, Seoul National University)
  • 임지용 (서울대학교 공과대학 전기 컴퓨터 공학부) ;
  • 지인환 (서울대학교 공과대학 전기 컴퓨터 공학부) ;
  • 하민우 (서울대학교 공과대학 전기 컴퓨터 공학부) ;
  • 최영환 (서울대학교 공과대학 전기 컴퓨터 공학부) ;
  • 최연익 (아주 대학교 공과대학 전자공학부) ;
  • 한민구 (서울대학교 공과대학 전기 컴퓨터 공학부)
  • Published : 2006.07.12
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Abstract

Floating p-well 전압 감지를 이용한 시간 지연 회로를 적용하여 punch-though형 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (PT-IGBT)의 최적화된 보호 회로를 제안하였다. Floating P-well 축전기와 게이트 저항은 정상 스위칭 동작시 단락 회로 감지 동작 (false detection of fault)을 차단하며, floating p-well 전압은 단락회로 상황시 풀-다운 (pull-down) MOSFET의 문턱 전압 이상으로 상승되어 풀-다운 MOSFET을 턴-온(turn-on) 시킴으로서 IGBT의 게이트 전압을 감소시킨다. 이에 따라 IGBT의 컬렉터 전류는 자연스럽게 감소된다. 실험 결과를 통해, 단락회로 상황에서 최적화된 IGBT의 보호회로가 소프트-셧다운 (soft-shutdown) 특성을 보이는 것을 확인할 수 있다.

Keywords