대한전기학회:학술대회논문집 (Proceedings of the KIEE Conference)
- 대한전기학회 2005년도 제36회 하계학술대회 논문집 C
- /
- Pages.2031-2033
- /
- 2005
L-모양 gate를 적용한 새로운 dual-gate poly-Si TFT
Novel Dual-Gate Poly-Si TFT Employing L-Shaped Gate
- 박상근 (서울대학교 전기컴퓨터공학부) ;
- 이혜진 (서울대학교 전기컴퓨터공학부) ;
- 신희선 (서울대학교 전기컴퓨터공학부) ;
- 이원규 (서울대학교 전기컴퓨터공학부) ;
-
한민구
(서울대학교 전기컴퓨터공학부)
- Park, Sang-Geun (School of Electrical Engineering and Computer Sciences, Seoul National University) ;
- Lee, Hye-Jin (School of Electrical Engineering and Computer Sciences, Seoul National University) ;
- Shin, Hee-Sun (School of Electrical Engineering and Computer Sciences, Seoul National University) ;
- Lee, Won-Kyu (School of Electrical Engineering and Computer Sciences, Seoul National University) ;
-
Han, Min-Koo
(School of Electrical Engineering and Computer Sciences, Seoul National University)
- 발행 : 2005.07.18
초록
poly-Si TFT의 kink 전류를 억제하는 L-shaped dual-gate TFT 구조를 제안하고 이를 제작하였다. 제안된 소자는 채널의 그레인 방향을 일정하게 성장시키는 SLS나 CW laser 결정화 방법을 사용한다. L자 모양의 게이트 구조를 사용하여 서고 다른 전계효과 이동도를 갖는 두 개의 sub-TFT를 구현할 수 있으며, 이러한 sub-TFT간의 특성차이가 kink 전류를 억제시킨다. 직접 제작한 L-shaped dual-gate 구조의 소자가 poly-Si TFT의 kink 전류를 억제하고, 전류포화 영역에서 전류량을 고정시킴으로써 신뢰성이 향상됨을 확인하였다.
키워드