Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)

The Korea Institute of Information and Commucation Engineering (한국정보통신학회)
권호 표지

Jitter Analysis of Ring Oscillator with MOSFET 1/f Noise

MOSFET의 1/f noise에 의한 Ring Oscillator의 Jitter 분석

  • 박세훈 (안동대학교 전자정보산업학부 전자공학) ;
  • 박세현 (안동대학교 전자정보산업학부 전자공학)
  • Published : 2003.10.01
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Abstract

It is known that 1/f noise of MOSFET is generated by superposition of single Random Telelgraph Signal (RTS). In this study, jitter from 1/f noise of MOSFET is analysed with RTS supplied to one of the nodes of the ring oscillator under investigation. Jitter rates are investigated as the number of stage, power supply voltage, and the amplitude of RTS change.

MOSFET의 1/f 잡음은 개별 Random Telegraph Signal (RTS)의 중첩에 의해 생성되는 것으로 알려져 있다. 본 연구에서는 CMOS 링 발진기 노드 중 하나에 RTS 전류원을 병렬로 연결하여 1/f 잡음에 의한 jitter를 분석하였다. 링 발진기의 숫자, 전원 전압, 그리고 RTS 진폭에 따른 litter rate 변화를 시뮬레이션을 통하여 분석하였다.

Keywords