내부 전계 링을 갖는 LDMOS의 해석적 항복전압 모델

Analytic Breakdown Voltage Model of LDMOS with Internal Field Ring

내부 전계 링을 갖는 LDMOS 항복전압의 해석적 모델이 제시되었다. 제시된 모델은 드리프트 영역의 크기와 불순물 농도, 내부 전계 링의 불순물 농도, 절연막의 두께와 유전상수 등을 변수로 하여 개발된 해석적 모델이다 2차원 TCAD 시뮬레이션을 이용하여 검증한 결과, 제시된 모델이 내부 전계 링을 갖는 LDMOS 항복 현상을 잘 설명한다는 것을 확인할 수 있었다.

An Analytic breakdown voltage model of LDMOS with internal field ring is proposed. The model is a simple analytic formula which has variables such as the dimension of drift retion, the position and doping concentration of the internal field ring, the thickness and permittivity of oxide. By comparing the results from two dimensional TCAD simulation, the proposed model explains the breakdown phenomena fairly well.