Evaluation of Crosstalk-Induced Variation of Interconnect Capacitance for High Speed Semiconductor Devices

고속 반도체 소자에서 배선 간의 Crosstalk에 의한 Capacitance 변화 평가

본 논문에서는 Coupling capacitance 변화량이 Static coupling capacitance 값보다 클 수 있다는 것을 새로운 테스트 회로를 이용하여 실험적으로 증명하였다. 테스트 회로는 배선의 지연시간이 배선의 저항보다는 배선의 정전용량에만 의존하도록 하여 배선의 지연시간을 평가함으로써 배선의 정전용량의 변화 즉, Coupling capacitance 의 변화량을 정확히 평가할 수 있도록 하였다. 0.15 ㎛ CMOS 기술을 이용하여 실험한 결과 In-phase crosstalk 인 경우에는 변화량이 Static coupling capacitance 보다 작았지만 Anti-phase 인 경우에는 Static coupling capacitance 보다 크게 나타남을 보여주고 있다. 따라서 배선에 의한 정확한 지연시간 평가를 위해서는 Crosstalk 이 발생한 경우의 Coupling capacitance 변화량을 정확히 반영하는 것이 매우 필요함을 알 수 있다.