$Hf[N(CH_3)_2]_4$ precursor를 이용한 $HfO_2$ 박막의 성장 기구와 전기적 성질에 관한 고찰

Growth Mechanism and Electrical Properties of ALD-$HfO_2$ thin films deposited with $Hf[N(CH_3)_2]_4$ precursor

  • 조문주 (서울대학교 재료공학부 유전박막실험실) ;
  • 박홍배 (서울대학교 재료공학부 유전박막실험실) ;
  • 박재후 (서울대학교 재료공학부 유전박막실험실) ;
  • 황철성 (서울대학교 재료공학부 유전박막실험실) ;
  • 현광수 (에버테크) ;
  • 정재학 (에버테크) ;
  • 장기훈 (에버테크)
  • 발행 : 2002.11.01