Proceedings of the KIEE Conference (대한전기학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical Engineers (대한전기학회)
권호 표지

A New Poly-Si TFT with Selectively Doped Channel Fabricated by Novel Excimer Laser Annealing

새로운 레이저 어닐링 방법을 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터

  • Lee, Jae-Hoon (School of Electrical Engineering, Seoul National University) ;
  • Lee, Min-Cheol (School of Electrical Engineering, Seoul National University) ;
  • Jeon, Jae-Hong (School of Electrical Engineering, Seoul National University) ;
  • Han, Min-Koo (School of Electrical Engineering, Seoul National University)
  • 이재훈 (서울대학교 전기.컴퓨터공학부) ;
  • 이민철 (서울대학교 전기.컴퓨터공학부) ;
  • 전재홍 (서울대학교 전기.컴퓨터공학부) ;
  • 한민구 (서울대학교 전기.컴퓨터공학부)
  • Published : 2001.07.18
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Abstract

본 연구에서는 알루미늄 마스크를 이용하여 다결정 실리콘 결정립의 수평성장을 유도하는 새로운 엑시머 레이저 어닐링 방법을 제안한다. 제안된 방법은 비정질 실리콘 박막 위에 알루미늄 패턴을 형성하여 선택적으로 레이저 빔을 차단시키고, 액상 실리콘의 열을 금속박막을 통해 방출시킴으로써 다결정 실리콘 결정립의 수평성장을 유도할 수 있다. 제안된 레이저 결정화 방법을 이용하여 최대 1.6${\mu}m$의 수평성장 결정립을 형성하였고, 알루미늄 패턴의 경계로부터 결정립을 성장시킴으로써 결정립 경계의 위치를 제어하였다. 제안된 방법을 이용하여 제작한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는 기존의 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에 비해 전계효과 이동도 및 온/오프 전류비 등의 전기적 특성이 우수하였다.

Keywords