한국광학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Optical Society of Korea Conference)

한국광학회 (Optical Society of Korea)
권호 표지

s-wave 무반사 조건을 이용한 $Si_3N_4$ 박막과 c-Si 기판사이의 계면층 결정

Determination of Interface Layer between $Si_3N_4$ Thin Films and c-Si Substrate Using S-wave Antireflection

  • 김현종 (아주대학교 분자과학기술학과) ;
  • 조용재 (아주대학교 분자과학기술학) ;
  • 조현모 (한국표준과학연구원 영상그) ;
  • 이윤우 (한국표준과학연구원 영상그) ;
  • 김상열 (아주대학교 분자과학기술학과)
  • 발행 : 2000.02.01
PDF 다운로드
⟨ 이전 논문 다음 논문 ⟩

초록

디지털 시대에 접어들면서 반도체 소자들에 대한 고속화 및 소형화 요구가 더욱 증대되었으며 이를 충족시키기 위해서 고집적, 고성능의 소자 제작기술에 대한 관심이 높아지고 있다. 이에 따라 필연적으로 게이트 유전 박막의 두께가 1 nm 정도까지 얇아질 것으로 예측되고 있다[표 1 참조].$^{(1)}$ 박막의 두께가 얇아지면서 박막과 기판 사이에 존재하는 계면층이 반도체 소자의 결함 원인으로 대두되었고 이러한 결함을 제거하기 위해서는 계면층에 대한 정보를 정확하게 알아내어야 한다. (중략)

키워드