Design of a 1.9-GHz Band AlGaAs/GaAs HBT MMIC Power Amplifier

1.9 GHz대 AlGaAs/GaAs HBT MMIC 전력증폭기 설계

  • 채규성 (경희대학교 전파공학과) ;
  • 김성일 (한국전자통신연구원 초고속주파소자팀) ;
  • 민병규 (한국전자통신연구원 초고속주파소자팀) ;
  • 박성호 (한국전자통신연구원 초고속주파소자팀) ;
  • 이경호 (한국전자통신연구원 초고속주파소자팀)
  • Published : 2000.11.01

Abstract

AlGaAs/GaAs HBT를 이용하여 1.9 GHz 대역 2단 MMIC 전력증폭기를 설계하였다. HBT의 실측 S 파라미터를 이용하여 정합회로를 설계하였으며, 목적에 따라 적절한 형태의 출력 정합 회로를 하이브리드 형태로 칩 외부에 부가할 수 있도록 설계하였다. HBT의 실측정 S 파라미터의 fitting을 통하여 비선형 등가모델을 추출하였고, load-pull 시뮬레이션으로 최대 출력 정합 임피던스를 결정하였다. 시뮬레이션 결과, 29 dBm의 출력 전력, 40 %의 전력 부가 효율, 그리고 16 dB의 전력 이득을 얻었다.

Keywords