Improvement of Breakdown Voltage Characteristics in 4H-SiC Schottky Barrier Diode by $B^+$ Ion Implantation

$B^+$ 이온주입을 이용한 4H-SiC Schottky Barrier Diode 소자의 항복전압 향상 특성에 관한 연구

  • 강수창 (명지대학교 무기재료공학과) ;
  • 신무환 (명지대학교 무기재료공학과)
  • Published : 1998.11.01