A high-resolution transmission electron microscopy study on the lattice defects formed in the high energy P ion implanted silicon

고에너지 P 이온 주입한 실리콘에 형성된 격자 결함에 관한 고분해능 투과전자현미경 연구

  • 장기완 (한국과학기술원 재료공학과) ;
  • 이정용 (한국과학기술원 재료공학과) ;
  • 조남훈 (홍익대학교 금속재료공학과) ;
  • 노재상 (홍익대학교 금속재료공학과)
  • Published : 1995.11.01