Surface treatment effect of the $Si_3N_4$ gate pH-ISFET

$Si_3N_4$ 게이트 pH-ISFET의 표면 처리 효과

  • 권대혁 (경북대학교 전자공학과) ;
  • 이종현 (경북대학교 전자공학과) ;
  • 손병기 (경북대학교 전자공학과)
  • Published : 1987.07.03

Abstract

For longterm conservation of the $Si_3N_4$ gate pH-ISFET, characteristics of ISFET surface treatment with HF and surface coating with paraffin wax were investigated.

Keywords