• 한국방사선학회논문지
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• 제8권7호
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• pp.429-433
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• 2014

본 연구에서는 입자 침전법으로 제작된 HgO와 PbO 기반 영상 센서의 유방촬영 영역에서의 적용 가능성을 조사하였다. 이를 위하여, 다양한 두께에 따른 HgO와 PbO 필름의 물리적 특성과 x선에 대한 양자 효율을 측정하였으며, 몬테카를로 시뮬레이션 결과와 비교 평가하였다. 또한, 입자 침강법을 이용하여 인듐 주석 산화물로 코팅 된 투명 유리기판 위에 대면적 다결정 박막을 제작하였다. 본 연구에서는 단결정의 효율과 비슷한 양자 효율을 얻기 위하여 필름의 두께와 제작 조건을 변화시켜 최적화 하였다. 본 연구의 결과를 기반으로 차후 대면적 a-Si:H 패널에 적합한 대면적 필름의 제작 기술과 최적화 연구가 가능할 것으로 판단된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.207-207
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• 2010

Both ZnO and GaN have excellent physical properties in optoelectronic devices such as blue light emitting diode (LED), blue laser diode (LD), and ultra-violet (UV) detector. The ZnO/GaN heterostructure, which has a potential to achieve the cost efficient LED technology, has been fabricated by using radio frequency (RF) sputtering, pyrolysis, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), direct current (DC) arc plasmatron, and pulsed laser deposition (PLD) methods. Among them, the PLD system has a benefit to control the composition ratio of the grown film from the mixture target. A 500-nm-thick ZnO film was grown by PLD technique on c-plane GaN/sapphire substrates. The post annealing process was executed at some varied temperature between from $300^{\circ}C$ to $900^{\circ}C$. The morphology and crystal structural properties obtained by using atomic force microscope (AFM) and x-ray diffraction (XRD) showed that the crystal quality of ZnO thin films can be improved as increasing the annealing temperature. We will discuss the post-treatment effect on film quality (uniformity and reliability) of ZnO/GaN heterostructures.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제35권11호
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• pp.3199-3204
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• 2014

Two novel phosphorescent heteroleptic cationic Ir(III) complexes, Ir(bt)2(dmpe) (Ir1) and Ir (bt)2(dppe) (Ir2), where bt is 2-phenylbenzothiazole, dmpe is 1,2-bis(dimethylphosphino)ethane, and dppe is 1,2-bis(diphenyl-phosphino) ethane, were designed and synthesized. Their photophysical and electrochemical properties and the X-ray structure of the Ir1 complex were investigated. The prepared Ir(III) complexes exhibited blue-green emissions at 503-538 nm with vibronic fine structures in dichloromethane solution and PMMA film, implying that the lowest excited states are dominated by ligand-based $^3{\pi}-{\pi}^*$ transitions. The ${\pi}$-acceptor ability of the diphosphine ancillary ligand leads to blue-shift emission. The room temperature photoluminescent quantum yields (PLQYs) of Ir1 and Ir2 were 52% and 45%, respectively, in dichloromethane solution. These high PLQYs resulted from steric hindrances by the bulky cationic iridium complexes. The crystal structure of Ir1 was determined by X-ray crystallography, which revealed that central iridium adopted a distorted octahedral structure coordinated with two bt ligands (N^C) and one dmpe ligand (P^P) showing cis C-C and trans N-N dispositions. The bent nature of the dmpe ligand resulted in a relatively wide bite angle of $83.83^{\circ}$ of P-Ir-P.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제34권1호
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• pp.167-173
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• 2013

A series of highly efficient red phosphorescent heteroleptic iridium(III) complexes 1-6 containing two cyclometalating 2-(2,4-substitued phenyl)quinoxaline ligands and one chromophoric ancillary ligand were synthesized: (pqx)$_2Ir$(mprz) (1), (dmpqx)$_2Ir$(mprz) (2), (dfpqx)$_2Ir$(mprz) (3), (pqx)$_2Ir$(prz) (4), (dmpqx)$_2Ir$(prz) (5), (dfpqx)$_2Ir$(prz) (6), where pqx = 2-phenylquinoxaline, dfpqx = 2-(2,4-diflourophenyl)quinoxaline, dmpqx = 2-(2,4-dimethoxyphenyl)quinoxaline, prz = 2-pyrazinecarboxylate and mprz = 5-methyl-2-pyrazinecarboxylate. The absorption, emission, electrochemical and thermal properties of the complexes were evaluated for potential applications to organic light-emitting diodes (OLEDs). The structure of complex 2 was also determined by single-crystal X-ray diffraction analysis. Complex 2 exhibited distorted octahedral geometry around the iridium metal ion, for which 2-(2,4-dimethoxyphenyl)quinoxaline N atoms and C atoms of orthometalated phenyl groups are located at the mutual trans and cis-positions, respectively. The emission spectra of the complexes are governed largely by the nature of the cyclometalating ligand, and the phosphorescent peak wavelengths can be tuned from 588 to 630 nm with high quantum efficiencies of 0.64 to 0.86. Cyclic voltammetry revealed irreversible metal-centered oxidation with potentials in the range of 1.16 to 1.89 V as well as two quasi-reversible reduction waves with potentials ranging from -0.94 to -1.54 V due to the sequential addition of two electrons to the more electron-accepting heterocyclic portion of two distinctive cyclometalated C^N ligands.

• 전기화학회지
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• 제23권2호
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• pp.25-38
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• 2020

태양광 흡수 물분해는 화석연료 대체 에너지원으로 떠오르는 수소에너지를 생산할 수 있는 가장 유망한 방법이다. 현재 전이 금속 디칼코제나이드 (transition dichalcogenide, TMD)는 물분해 촉매 특성이 뛰어난 물질로 많은 관심을 끌고 있다. 본 연구에서는 실리콘 (Si) 나노선 어레이 전극 표면에 대표적 TMD 물질인 4-6족의 이황화 몰리브덴 (MoS₂), 이셀렌화 몰리브덴(MoSe₂), 이황화 텅스텐 (WS₂), 이셀렌화 텅스텐 (WSe₂) 나노시트 합성할 수 있는 방법을 개발하였다. Si나노선 전극을 금속 이온 용액으로 코팅하고, 황 또는 셀레늄의 화학 기상 증착법(chemical vapor deposition)을 이용하는 것이다. 이 방법으로 TMD 나노시트를 약 20 nm 두께로 균일하게 합성하였다. p형 Si-TMD 나노선 광전극으로 구성된 광화학전지는 태양광 AM1.5G, 0.5 M H₂SO₄ 전해질에서 개시 전위 0.2 V를 가지며 0 V (vs. RHE)에서 20 mA cm^-2 이상의 전류를 낼 수 있다. 수소 발생 양자효율은 90% 정도로 우수한 물분해 촉매 특성을 확인하였다. MoS₂ 및 MoSe₂는 3시간 동안 90% 이상의 우수한 광전류 안전성을 보여주었으나, WS₂ 및 WSe₂는 상대적으로 적은 80%였다. MoS₂, MoSe₂는 Si 나노선 표면에 균일한 시트 형태로 씌워졌지만, WS₂, WSe₂는 조각 형태로 붙었다. 따라서 Si 표면을 잘 보호하지 못하기 때문에 Si나노선이 더 잘 산화되어 안정성이 낮아지는 것으로 해석하였다. 본 연구결과는 TMD의 수소 발생 촉매 특성을 이해하는 데 크게 기여할 것으로 예상한다.